[发明专利]一种量子点发光二极管

说明书

本发明公开一种量子点发光二极管，包括阴极、阳极以及设置在阴极和阳极之间的量子点发光层，所述阴极和量子点发光层之间设置有功能层，所述功能层包括n层层叠设置的功能结构单元，所述功能结构单元由层叠设置的电子阻挡材料层和电子传输层组成，所述功能结构单元中的电子阻挡材料层靠近量子点发光层设置，所述功能结构单元中的电子传输层靠近阴极设置，所述n为大于等于1的整数。本发明量子点发光二极管通过所述功能层的设置能够降低电子传输至量子点发光层的传输速率，从而平衡电子和空穴的注入速率，以提高载流子在量子点层中的复合效率，进而提高量子点发光二极管的发光效率、稳定性和使用寿命。

技术领域

本发明涉及量子点领域，尤其涉及一种量子点发光二极管。

背景技术

量子点发光二级管（QLED）为典型的三明治结构，由电极，功能层，发光层等构成。在外加电压的激发下，载流子通过两端电极由各功能层进入到量子点进行复合形成激子，复合后的激子通过辐射跃迁的形式释放光子，从而发光。由于胶体量子点自身具有发光效率高、色纯度高、色域广、稳定性好等特性，QLED不仅承袭了量子点的这些优异的性能，而且QLED还具有自发光、可视角广、可弯曲等特点，表现出极大的商业应用前景，成为新一代新型与照明显示领域的重要研究方向。同时，由于量子点本身是采用溶液法加工制备，非常适合配置成油墨，然后采用印刷、喷墨等方式实现大规模、大面积化制备。目前，经过二十多年的研究与发展，QLED器件得到了迅速发展，并取得了显著的成果。特别是近年来由对功能层的调控转至对量子点自身的调控，对量子点进行合金化和厚壳层的生长极大的推动了QLED器件性能的提升。

现阶段，对于QLED器件而言，如何同步提升器件效率、寿命和稳定性，仍然是一个极具挑战性的难题。通常，半导体量子点普遍具有很深的HOMO能级，电荷在各功能层传输时存在较大的势垒，导致器件在工作时电子和空穴注入不平衡。一方面，高的载流子注入势垒会增加器件的工作电压；另一方面，不平衡的电荷注入会使得载流子在发光层内的复合几率大大降低，容易引发激子的非辐射跃迁，从而影响了器件的发光效率和寿命。

因此，现有技术还有待于改进和发展。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种量子点发光二极管，旨在解决现有QLED器件中载流子注入不平衡导致载流子在发光层内的复合几率降低，影响了器件的发光效率和寿命的问题。

本发明的技术方案如下：

一种量子点发光二极管，包括阴极、阳极以及设置在阴极和阳极之间的量子点发光层，其中，所述阴极和量子点发光层之间设置有功能层，所述功能层包括n层层叠设置的功能结构单元，所述功能结构单元由层叠设置的电子阻挡材料层和电子传输层组成，所述功能结构单元中的电子阻挡材料层靠近量子点发光层设置，所述功能结构单元中的电子传输层靠近阴极设置，所述n为大于等于1的整数。

有益效果：本发明提供的量子点发光二极管通过所述功能层的设置能够降低电子传输至量子点发光层的传输速率，从而平衡电子和空穴的注入速率，以提高载流子在量子点层中的复合效率，进而提高量子点发光二极管的发光效率、稳定性和使用寿命；进一步地，所述功能层中的电子阻挡材料层还可阻止电子传输层中的正交溶剂对量子点发光层的光学性能产生不利影响。

附图说明

图1为本发明一种量子点发光二极管较佳实施例的结构示意图。

图2为本发明量子点发光二极管的能带结构示意图。

图3为本发明实施方式的一种子点发光二极管的制备方法工艺流程图。

具体实施方式

本发明提供一种量子点发光二极管，为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。