[发明专利]滤波天线器件

权利要求书

1.一种滤波天线器件，包括SIW滤波结构和与所述SIW滤波结构级联的SIW辐射结构，其特征在于，所述SIW滤波结构包括上下层叠设置并相连通的第一谐振腔和第二谐振腔，所述SIW辐射结构包括与所述第一谐振腔及所述第二谐振腔并排设置且连通的背腔和收容于所述背腔内的金属贴片，所述滤波天线器件还包括设置于所述第一谐振腔的远离所述背腔一侧的馈电端口及第一共面波导、设置于所述第二谐振腔的靠近所述背腔一侧的第二共面波导、设置于所述背腔内且与所述第二共面波导的一端连接的传输线及连接所述传输线与所述金属贴片的探针，所述第一共面波导一端与所述馈电端口连接，另一端与所述第二共面波导远离所述传输线的端部相对设置。

2.根据权利要求1所述的滤波天线器件，其特征在于，所述SIW滤波结构包括上下层叠设置的第一介质基板和第二介质基板、覆于所述第一介质基板远离所述第二介质基板的表面的第一金属层和覆于所述第二介质基板远离所述第一介质基板的表面的第二金属层、夹设于所述第一介质基板和所述第二介质基板之间的第三金属层、多个间隔设置且贯穿所述第一介质基板的第一金属化通孔及多个间隔设置且贯穿所述第二介质基板的第二金属化通孔，多个所述第一金属化通孔沿所述第一介质基板的周缘排布且电连接所述第一金属层和所述第三金属层，多个所述第二金属化通孔沿所述第二介质基板的周缘排布且电连接所述第二金属层和所述第三金属层，所述第一金属层、所述第三金属层及所述第一金属化通孔共同围成所述第一谐振腔，所述第二金属层、所述第三金属层及所述第二金属化通孔共同围成所述第二谐振腔，所述SIW辐射结构包括与所述第一介质基板和所述第二介质基板并排设置的第三介质基板、覆于所述第三介质基板相对两表面的第四金属层和第五金属层及多个间隔设置且贯穿所述第三介质基板的第三金属化通孔，多个所述第三金属化通孔沿所述第三介质基板的周缘排布且电连接所述第四金属层和所述第五金属层，所述第四金属层、所述第五金属层及多个所述第三金属化通孔共同围成所述背腔。

3.根据权利要求2所述的滤波天线器件，其特征在于，所述第四金属层与所述第一金属层处于同一平面，所述第五金属层与所述第二金属层处于同一平面。

4.根据权利要求2所述的滤波天线器件，其特征在于，所述第一共面波导设置于所述第一金属层内且自所述馈电端口向靠近所述背腔方向延伸，所述第二共面波导设置于所述第二金属层内且与所述第一共面波导具有相同的延伸方向。

5.根据权利要求4所述的滤波天线器件，其特征在于，所述第四金属层中心开设有辐射窗口，所述金属贴片设置于所述辐射窗口内，所述传输线开设于所述第五金属层，所述探针贯穿所述第三介质基板并电连接所述金属贴片和所述传输线。

6.根据权利要求5所述的滤波天线器件，其特征在于，所述第二共面波导包括中心导体带和位于所述中心导体带两侧的导体平面，所述传输线与所述中心导体带连接。

7.根据权利要求5所述的滤波天线器件，其特征在于，所述第三金属层开设有两间隔设置的耦合间隙，所述第一谐振腔与所述第二谐振腔通过所述耦合间隙连通。

8.根据权利要求6所述的滤波天线器件，其特征在于，所述耦合间隙呈矩形，且分设于所述第一共面波导的两侧。

9.根据权利要求2所述的滤波天线器件，其特征在于，贯通的所述第一金属化通孔和所述第二金属化通孔一体成型。