[发明专利]用于处理单片化射频单元的设备和方法在审
申请号: | 201811652767.7 | 申请日: | 2015-05-12 |
公开(公告)号: | CN110085524A | 公开(公告)日: | 2019-08-02 |
发明(设计)人: | M.S.里德 | 申请(专利权)人: | 天工方案公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L23/31;H01L23/552;H01L25/065;H01L23/485;H01L23/488;H01L23/49;H01L21/60 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 高瑞 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 单片化 封装 射频单元 射频 接纳 | ||
用于处理单片化射频(RF)单元的设备和方法。在一些实施例中,用于处理单片化RF封装的设备可以包括具有多个孔的板。每个孔的尺寸可以被设置为接纳和定位单片化RF封装,从而便于对定位在相应孔中的单片化RF封装的处理。在一些实施例中,这样的设备可以用于批量处理大量的RF封装,如同RF封装仍然是面板格式。
本申请是申请日为2015年5月12日、申请号为201580035381.X、发明名称为《用于处理单片化射频单元的设备和方法》的发明专利申请的分案申请。
对相关申请的交叉引用
本申请要求2014年5月12日提交的题为“RADIO-FREQUENCY DEVICES PACKAGED ONCERAMIC SUBSTRATES,AND APPARATUS AND METHODS FOR HIGH VOLUME MANUFACTURING”的第61/992,156号美国临时申请以及2014年7月31日提交的题为“DEVICES AND METHODSRELATED TO PROCESSING SINGULATED RADIO-FREQUENCY UNITS”的第62/031,816号美国临时申请的优先权,其每一个的公开内容通过引用全部明确并入本文。
技术领域
本发明涉及一种封装电子模块(诸如射频(RF)模块)的加工。
背景技术
在射频(RF)应用中,RF电路和相关的设备可以被实现在封装模块中。然后,这种封装模块可以被安装在电路板上,诸如电话板。
发明内容
根据多个实现方式,本公开涉及用于处理单片化(singulated)射频(RF)封装的设备。所述设备包括具有多个孔的板,每个孔的尺寸被设置为接纳和定位单片化RF封装,从而便于对位于相应孔中的单片化RF封装的处理。
在一些实施例中,每个孔可以具有矩形形状,其尺寸被选择为允许在其中接纳和定位单片化RF封装。可以选择孔的矩形形状的尺寸以提供单片化RF封装相对于板的足够精确的定位。孔可以包括在矩形形状的孔的一个或多个拐角处的凸起特征,每个凸起特征的尺寸被设置为允许单片化RF封装的对应拐角的配合(fit)。在一些实施例中,孔的四个拐角中的每一个可以包括凸起特征。
在一些实施例中,板可以包括被配置为提供指标和/或对准功能的一个或多个特征。例如,板可以具有矩形形状。一个或多个指标/对准特征中的至少一部分可以沿着矩形板的选择边缘定位。
在一些实施例中,板可以包括上侧和下侧。下侧可以被配置为接纳带,使得孔暴露带的粘合剂侧的相应部分,从而便于保持定位在孔中的单片化RF封装。带被配置为承受与单片化RF封装的处理相关联的条件。板可以包括一个或多个带去除特征,带去除特征被配置为便于从板的下侧去除带。一个或多个带去除特征可以包括在板的选择边缘上实现的一个或多个凹口。
在一些实施例中,板可以具有晶片状的形状。孔的尺寸被设置为接纳和定位单片化RF封装以便于保形遮蔽沉积处理。保形遮蔽沉积处理可以包括溅射沉积处理。
在一些实施例中,板可以具有选择的厚度,以允许在单片化RF封装的处理期间以期望的方式将单片化RF封装定位和保持在相应孔中。例如,单片化RF封装可以是遮蔽RF封装。每个遮蔽RF封装可以包括覆盖遮蔽RF封装的上表面和至少一些侧壁的保形遮蔽层。可以选择厚度以允许遮蔽RF封装以相反取向定位在相应孔中,以允许在遮蔽RF封装的下侧上执行一个或多个处理步骤。遮蔽RF封装可以被配置为产生双面RF封装。
在一些实施例中,单片化RF封装可以是未遮蔽RF封装。可以选择板的厚度以允许形成覆盖单片化RF封装的上表面和至少一些侧壁的保形遮蔽层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造