[发明专利]具有共享柱结构的多栅极串驱动器

权利要求书

1.一种设备，其包括：

第一组导电材料，其与第一组电介质材料交错；

柱，其延伸穿过所述第一组导电材料及所述第一组电介质材料；

存储器单元，其是沿第一柱定位；

导电触点，其耦合到所述第一组导电材料中的导电材料；及

额外柱，其延伸穿过第二组导电材料及第二组电介质材料，所述额外柱中的每一者包含第一部分、第二部分、第三部分及第四部分，所述第二部分及所述第三部分位于所述第一部分与所述第四部分之间，且所述第二部分位于所述第一部分与所述第三部分之间，其中

所述第一部分耦合到导电区域；且

所述第四部分耦合到所述导电触点，且其中所述额外柱中的每一者的所述第二部分是从所述额外柱中的第一柱延伸到所述额外柱中的第二柱的材料块的部分。

2.根据权利要求1所述的设备，其中所述材料块的掺杂浓度小于所述额外柱中的每一者的所述第一部分及所述第四部分中的每一者的掺杂浓度。

3.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一部分具有第一长度，所述第二部分具有第二长度，且所述第二长度大于所述第一长度。

4.根据权利要求3所述的设备，其中所述第一长度在垂直于所述第一组导电材料的方向上延伸。

5.根据权利要求1所述的设备，其中所述第二部分是掺杂多晶硅。

6.根据权利要求1所述的设备，其中所述第二部分具有大于150纳米的晶粒大小。

7.根据权利要求1所述的设备，其中所述第三部分的掺杂浓度小于所述第二部分的浓度。

8.根据权利要求1所述的设备，其中所述第三部分是掺杂多晶硅。

9.根据权利要求1所述的设备，其中所述第三部分是无掺杂多晶硅。

10.根据权利要求1所述的设备，其中所述存储器单元位于所述设备的在衬底与所述第二柱之间的层级中。

11.根据权利要求1所述的设备，其中所述第二组导电材料是多晶硅。

12.根据权利要求1所述的设备，其中所述第二组导电材料是金属。

13.根据权利要求1所述的设备，其中所述第三部分包含围绕第一电介质的多晶硅。

14.根据权利要求13所述的设备，其中所述第二部分包含围绕第二电介质的多晶硅。

15.根据权利要求1所述的设备，其中所述设备包含存储器装置，所述第一组导电材料形成所述存储器装置的一组字线的部分，且所述额外柱包含在驱动器中以将电压提供到所述字线中的一者。

16.一种设备，其包括：

第一组导电材料，其与第一组电介质材料交错；

柱，其延伸穿过所述第一组导电材料及所述第一组电介质材料；

存储器单元，其是沿第一柱定位；

导电触点，其耦合到所述第一组导电材料中的导电材料；及

第一额外柱，其延伸穿过第二组导电材料及第二组电介质材料；

第二额外柱，其延伸穿过所述第二组导电材料及所述第二组电介质材料；

第一材料块，其是由所述第一额外柱共享，使得所述第一额外柱中的每一者的部分包含在所述第一材料块中；及

第二材料块，其是由所述第二额外柱共享，使得所述第二额外柱中的每一者的部分包含在所述第二材料块中。

17.根据权利要求16所述的设备，其中所述第一材料块包含多晶硅，且所述第二材料块包含多晶硅。