[发明专利]具有共享柱结构的多栅极串驱动器

说明书

本申请案涉及具有共享柱结构的多栅极串驱动器。一些实施例包含设备及形成所述设备的方法。一些所述设备包含：第一组导电材料，其与第一组电介质材料交错；柱，其延伸穿过所述导电材料及所述电介质材料；存储器单元，其是沿第一柱定位；导电触点，其耦合到所述第一组导电材料中的导电材料；及额外柱，其延伸穿过第二组导电材料及第二组电介质材料。第二柱包含：第一部分，其耦合到导电区域；第二部分；第三部分；及第四部分，其耦合到所述导电触点。所述第二部分位于所述第一部分与所述第三部分之间。所述额外柱中的每一者的所述第二部分是从所述额外柱中的第一柱延伸到第二柱的材料块的部分。

技术领域

本申请案涉及存储器装置。

背景技术

存储器装置广泛用于计算机、蜂窝电话及许多其它电子产品中。传统存储器装置(例如3D(三维)闪速存储器装置)具有用来存储信息的许多存储器单元。存储器装置具有导电线，及用来将电压提供到导电线以便在不同存储器操作期间存取存储器单元的电路。此类电路通常包含驱动器(例如，开关)以将电压从电压源传递到相应导电线。一些存储器操作可使用相对高电压(例如，存储器装置的操作电压的10倍到20倍)。许多传统驱动器经设计以维持此类高电压。然而，一些存储器装置可在其一些操作中使用甚至更高的电压。此类更高电压可能会使一些传统驱动器不可靠。此外，一些此类传统驱动器可具有有限电流迁移率及高电阻。因此，设计驱动器以支持更高电压且解决所提及电流迁移率或驱动器电阻可能会使与传统驱动器相关联的外围电路增加复杂性。

发明内容

本申请案的一个方面涉及一种设备。在一个实施例中，所述设备包括：第一组导电材料，其与第一组电介质材料交错；柱，其延伸穿过所述第一组导电材料及所述第一组电介质材料；存储器单元，其是沿第一柱定位；导电触点，其耦合到所述第一组导电材料中的导电材料；及额外柱，其延伸穿过第二组导电材料及第二组电介质材料，所述额外柱中的每一者包含第一部分、第二部分、第三部分及第四部分，所述第二部分及所述第三部分位于所述第一部分与所述第四部分之间，且所述第二部分位于所述第一部分与所述第三部分之间，其中所述第一部分耦合到导电区域；且所述第四部分耦合到所述导电触点，且其中所述额外柱中的每一者的所述第二部分是从所述额外柱中的第一柱延伸到所述额外柱中的第二柱的材料块的部分。

本申请案的另一方面涉及一种设备。在一个实施例中，所述设备包括：第一组导电材料，其与第一组电介质材料交错；柱，其延伸穿过所述第一组导电材料及所述第一组电介质材料；存储器单元，其是沿第一柱定位；导电触点，其耦合到所述第一组导电材料中的导电材料；及第一额外柱，其延伸穿过第二组导电材料及第二组电介质材料；第二额外柱，其延伸穿过所述第二组导电材料及所述第二组电介质材料；第一材料块，其是由所述第一额外柱共享，使得所述第一额外柱中的每一者的部分包含在所述第一材料块中；及第二材料块，其是由所述第二额外柱共享，使得所述第二额外柱中的每一者的部分包含在所述第二材料块中。

本申请案的又一方面涉及一种方法。在一个实施例中，所述方法包括：在装置的柱上方形成具有开口的掩模；移除所述开口的位置处的所述柱中的每一者的部分；在所述位置处形成材料，所述材料具有第一结构；致使所述材料的所述第一结构改变为第二结构；及移除具有所述第二结构的所述材料的部分以形成与所述第二结构的剩余部分分离的部分，使得所述分离部分中的每一者接触所述柱中的一者的部分。

附图说明

图1展示根据本文中所描述的一些实施例的呈存储器装置的形式的设备的框图。

图2展示根据本文中所描述的一些实施例的包含存储器单元串及驱动器(例如，驱动器电路)的存储器装置的部分的框图。

图3展示根据本文中所描述的一些实施例的图2的存储器装置的部分的结构的侧视图。

图4展示根据本文中所描述的一些实施例的图3的存储器装置的部分的结构的俯视图。