[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

漂移层，形成在半导体衬底之上；

沟道层，形成在所述漂移层之上；

源极区域，形成在所述沟道层之上；

沟槽，穿透所述沟道层以到达所述漂移层并与所述源极区域接触；

栅极绝缘膜，形成在所述沟槽的内壁之上；

栅电极，填充所述沟槽；

第一半导体区域，在所述沟槽下方的所述漂移层中、形成在从上往下看与形成有所述沟槽的区域重叠的位置中，并且具有与所述漂移层相反的导电类型的杂质；以及

第二半导体区域，在所述沟槽下方的所述漂移层中、从上往下看与形成有所述沟槽的区域隔开，并且具有与所述漂移层相反的导电类型的杂质，

其中所述沟槽沿第一方向延伸，

其中所述第一半导体区域沿所述第一方向延伸，并且

其中所述第二半导体区域通过在所述第一方向上布置在第二空间处的多个第二区域来配置。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述第一半导体区域通过在所述第一方向上布置在第一空间处的多个第一区域来配置。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，

其中每个所述第二区域均布置在与所述第一空间相对应的位置处。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，还包括：

第三半导体区域，耦合所述第一区域中的任一区域以及所述第二区域中的任一区域。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，

其中预定电位被施加给所述第一区域和所述第二区域中的至少一个。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述漂移层、所述沟道层和所述源极区域通过SiC来配置。

7.一种半导体器件，包括：

漂移层，形成在半导体衬底之上；

沟道层，形成在所述漂移层之上；

源极区域，形成在所述沟道层之上；

沟槽，穿透所述沟道层以到达所述漂移层并与所述源极区域接触；

栅极绝缘膜，形成在所述沟槽的内壁之上；

栅电极，填充所述沟槽；

第一半导体区域，在所述沟槽下方的所述漂移层中、形成在从上往下看与形成有所述沟槽的区域重叠的位置中，并且具有与所述漂移层相反的导电类型的杂质；以及

第二半导体区域，在所述沟槽下方的所述漂移层中、从上往下看与形成有所述沟槽的区域隔开，并且具有与所述漂移层相反的导电类型的杂质，

其中所述沟槽沿第一方向延伸，

其中所述第一半导体区域通过在所述第一方向上布置在第一空间处的多个第一区域来配置，并且

其中所述第二半导体区域沿所述第一方向延伸。

8.一种半导体器件，包括：

漂移层，形成在半导体衬底之上；

沟道层，形成在所述漂移层之上；

源极区域，形成在所述沟道层之上；

沟槽，穿透所述沟道层以到达所述漂移层并与所述源极区域接触；

栅极绝缘膜，形成在所述沟槽的内壁之上；

栅电极，填充所述沟槽；

第一半导体区域，在所述沟槽下方的所述漂移层中、形成在从上往下看与形成有所述沟槽的区域重叠的位置中，并且具有与所述漂移层相反的导电类型的杂质；以及

第二半导体区域，在所述沟槽下方的所述漂移层中、从上往下看与形成有所述沟槽的区域隔开，并且具有与所述漂移层相反的导电类型的杂质，

其中所述沟槽沿第一方向延伸，并且

其中所述第一半导体区域布置在深于所述第二半导体区域的位置处。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，

其中所述第一半导体区域通过在所述第一方向上布置在第一空间处的多个第一区域来配置。

10.根据权利要求8所述的半导体器件，

其中所述第二半导体区域通过在所述第一方向上布置在第二空间处的多个第二区域来配置。

11.根据权利要求8所述的半导体器件，

其中所述漂移层、所述沟道层和所述源极区域通过SiC来配置。