[实用新型]电子装置

权利要求书

1.一种电子装置，其特征在于，包括：

半导体衬底，包括第一导电类型的第一半导体层和与所述第一导电类型相反的第二导电类型的第二半导体层，所述第一半导体层和所述第二半导体层在PN结处彼此接触以形成结型二极管；

第一硅通孔结构，包括由绝缘层侧向包围的导电区域，所述第一硅通孔结构完全穿过所述第一半导体层并且部分穿过所述第二半导体层延伸，所述第一硅通孔结构的后端嵌入所述第二半导体层中，所述导电区域与所述第二半导体层的第二导电类型掺杂半导体材料物理接触且电接触；

第一电连接件，被制作成连接到所述第一硅通孔结构的前端；以及

第二电连接件，被制作成连接到所述第一半导体层的第一导电类型掺杂半导体材料。

2.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，还包括测试电路，所述测试电路被配置成：

产生测试电流，所述测试电流被施加到所述第一电连接件以流过所述第一硅通孔结构；以及

感测所述第二电连接件处的所述测试电流，以便检测在所述第一硅通孔结构中的故障。

3.根据权利要求2所述的电子装置，其特征在于，所述故障为在侧向包围所述第一硅通孔结构的所述导电区域的所述绝缘层中的缺陷。

4.根据权利要求2所述的电子装置，其特征在于，所述测试电路为由所述第一半导体层或所述第二半导体层中的至少一个支撑的内置自测试(BIST)电路。

5.根据权利要求2所述的电子装置，其特征在于，所述测试电路为通过探针卡电耦合的自动化测试设备(ATE)。

6.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，还包括测试电路，所述测试电路被配置成：

产生测试电流，所述测试电流被施加到所述第一电连接件以流过所述第一硅通孔结构；以及

感测所述第二电连接件处不存在所述测试电流，以便确认所述第一硅通孔结构的正确操作。

7.根据权利要求6所述的电子装置，其特征在于，所述测试电路为由所述第一半导体层或所述第二半导体层中的至少一个支撑的内置自测试(BIST)电路。

8.根据权利要求6所述的电子装置，其特征在于，所述测试电路为通过探针卡电耦合的自动化测试设备(ATE)。

9.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，还包括：

第二硅通孔结构，包括由绝缘层侧向包围的导电区域，所述第二硅通孔结构完全穿过所述第一半导体层并且部分穿过所述第二半导体层延伸，所述第二硅通孔结构的后端嵌入所述第二半导体层中，所述导电区域与所述第二半导体层的第二导电类型掺杂半导体材料物理接触且电接触；以及

第三电连接件，被制作成连接到所述第二硅通孔结构的前端。

10.根据权利要求9所述的电子装置，其特征在于，还包括测试电路，所述测试电路被配置成：

产生测试电流，所述测试电流被施加到所述第一电连接件以流过所述第一硅通孔结构；以及

感测所述第三电连接件处不存在所述测试电流，以便检测在所述第一硅通孔结构和所述第二硅通孔结构中的至少一个硅通孔结构中的故障。

11.根据权利要求10所述的电子装置，其特征在于，所述故障为所述第一硅通孔结构和所述第二硅通孔结构中的至少一个硅通孔结构的所述导电区域的不连续。

12.根据权利要求10所述的电子装置，其特征在于，所述故障为侧向包围所述导电区域的所述绝缘层的延伸，以将所述第一硅通孔结构和所述第二硅通孔结构中的至少一个硅通孔结构的所述导电区域与所述第二半导体层隔离。

13.根据权利要求10所述的电子装置，其特征在于，所述测试电路为由所述第一半导体层或所述第二半导体层中的至少一个支撑的内置自测试(BIST)电路。