[实用新型]一种实现PERC电池热氧钝化的管式镀膜装置有效
申请号: | 201820015361.7 | 申请日: | 2018-01-04 |
公开(公告)号: | CN207719229U | 公开(公告)日: | 2018-08-10 |
发明(设计)人: | 庞恒强 | 申请(专利权)人: | 庞恒强 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 北京权智天下知识产权代理事务所(普通合伙) 11638 | 代理人: | 刘玉欣 |
地址: | 157400 黑龙江省*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 侧面设置 钝化 热氧 管式镀膜 水平式炉 进气管 装料站 抽排系统 气体系统 电池 截止阀 退火 本实用新型 界面态密度 顶部设置 开路电压 内部设置 能源消耗 气体管道 正面设置 转换效率 操作板 单向阀 硅片 结区 气柜 吸杂 阻挡 复合 扩散 | ||
本实用新型公开了一种实现PERC电池热氧钝化的管式镀膜装置,包括装料站,所述装料站的正面设置有操作板,所述装料站的侧面设置有抽排系统,所述抽排系统的侧面设置有水平式炉体,所述水平式炉体的顶部设置有气柜,所述水平式炉体的内部设置有气体系统,所述气体系统包括第一进气管,所述第一进气管的侧面设置有截止阀,所述截止阀的侧面设置有单向阀,所述第一进气管的一端设有分支。该实现PERC电池热氧钝化的管式镀膜装置,通过设置了完善的气体管道利用热氧氢作为钝化的材料,具有退火、吸杂及阻挡杂质向硅片内部扩散的作用。可有效降低Si表面的界面态密度,降低结区复合,提高开路电压,有利于电流的收集,提升转换效率并能减少能源消耗。
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池技术领域,具体为一种实现PERC电池热氧钝化的管式镀膜装置。
背景技术
目前,晶硅PERC太阳电池的生产工艺包括:制绒,扩散,去背结和PSG,背面钝化,正面制作减反射膜,丝印烧结。其中,钝化是太阳电池发电的关键步骤,因此钝化的特性好坏直接影响着电池的光电转换效率。普通PERC电池仅在背面制作钝化层,其转换效率受到一定限制。
实用新型内容
(一)解决的技术问题
针对现有技术的不足,本实用新型提供了一种实现PERC电池热氧钝化的管式镀膜装置,具备退火、吸杂及阻挡杂质向硅片内部扩散等优点,解决了目前PERC电池钝化不完全的问题。
(二)技术方案
为实现上述一种实现PERC电池热氧钝化的管式镀膜装置退火、吸杂及阻挡杂质向硅片的目的,本实用新型提供如下技术方案:一种实现PERC电池热氧钝化的管式镀膜装置,包括装料站,所述装料站的正面设置有操作板,所述装料站的侧面设置有抽排系统,所述抽排系统的侧面设置有水平式炉体,所述水平式炉体的顶部设置有气柜,所述水平式炉体的内部设置有气体系统,所述气体系统包括第一进气管,所述第一进气管的侧面设置有截止阀,所述截止阀的侧面设置有单向阀,所述第一进气管的一端设有分支,所述分支的数量为两个,两个所述分支上设置有质量流量计和配量阀,所述第一进气管远离单向阀的一端安装有气动双阀组箱,所述第一进气管与第二进气管连通,所述第二进气管与上安装有质量流量计,所述质量流量计的两侧分别安装有气动双阀组箱,所述第二进气管远离第一进气管的一端连通有第三进气管,所述第三进气管上安装有气动阀,所述气动阀的侧面安装有质量流量计。
优选的,所述第一进气管、第二进气管与第三进气管入口一端均安装有截止阀和单向阀。
优选的,所述第二进气管与第一进气管连通处安装有从第一进气管流向第二进气管的单向阀。
优选的,所述第二进气管与第三进气管在远离入口处的一端连通,所述第三进气管与第一进气管连通,所述第一进气管出气的一端安装有过滤器。
优选的,所述第二进气管的出口连通有真空泵。
(三)有益效果
与现有技术相比,本实用新型提供了一种实现PERC电池热氧钝化的管式镀膜装置,具备以下有益效果:
1、该实现PERC电池热氧钝化的管式镀膜装置,通过设置了完善的气体管道利用热氧氢作为钝化的材料,具有退火、吸杂及阻挡杂质向硅片内部扩散的作用。可有效降低Si表面的界面态密度,降低结区复合,提高开路电压, 有利于电流的收集,提升转换效率并能减少能源消耗。
附图说明
图1为本实用新型结构示意图;
图2为本实用新型气体系统结构示意图。
图中:1装料站、2操作板、3抽排系统、4水平式炉体、5气柜、6气体系统、7第一进气管、8截止阀、9单向阀、10分支、11质量流量计、12配量阀、13气动双阀组箱、14第二进气管、15第三进气管、16气动阀、17过滤器。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的