[实用新型]增强Wafer公端连接器高温制程中保持力的导电件

权利要求书

1.增强Wafer公端连接器高温制程中保持力的导电件,包括本体(2)、料带(4)、卡块(201)、前杆(202)、后杆(203)、干涉面(2011)、限位面(2012)、辅助定位面(2013)、干涉凸点(2014)和导向面(2015)；其特征在于，料带(4)前侧边沿平行固定至少三根本体(2)，本体(2)中部有卡块(201)，卡块(201)前、后端分别连接前杆(202)和后杆(203)，其中在卡块(201)外缘由后向前依次设置有干涉面(2011)、限位面(2012)、辅助定位面(2013)、干涉凸点(2014)和导向面(2015)。

2.如权利要求1所述的增强Wafer公端连接器高温制程中保持力的导电件，其特征在于，料带(4)与本体(2)连接部位外壁上有环形向心凹入的的断口(3)。

3.如权利要求1所述的增强Wafer公端连接器高温制程中保持力的导电件，其特征在于，前杆(202)和后杆(203)呈方柱形，本体(2)呈扁板形。

4.如权利要求1所述的增强Wafer公端连接器高温制程中保持力的导电件，其特征在于，卡块(201)对应两外侧边缘对称的分别设置干涉面(2011)、限位面(2012)、辅助定位面(2013)、干涉凸点(2014)和导向面(2015)。

5.如权利要求1所述的增强Wafer公端连接器高温制程中保持力的导电件，其特征在于，卡块(201)为具有不规则边缘的扁板，从卡块(201)边缘所在位置的宽度对比，干涉面(2011)大于干涉凸点(2014)大于辅助定位面(2013)大于前杆(202)，限位面(2012)倾斜连接在干涉面(2011)大于干涉凸点(2014)之间，导向面(2015)倾斜连接在干涉凸点(2014)和前杆(202)之间。

6.如权利要求1所述的增强Wafer公端连接器高温制程中保持力的导电件，其特征在于，干涉面(2011)表面有棱槽式凸凹结构，干涉面(2011)的外缘中线平行于本体(2)中轴。

7.如权利要求1所述的增强Wafer公端连接器高温制程中保持力的导电件，其特征在于，前杆(202)和后杆(203)截面结构横形状相同。