[实用新型]增强Wafer公端连接器高温制程中保持力的导电件有效
申请号: | 201820018579.8 | 申请日: | 2018-01-05 |
公开(公告)号: | CN207834626U | 公开(公告)日: | 2018-09-07 |
发明(设计)人: | 李文化 | 申请(专利权)人: | 昆山维康电子有限公司 |
主分类号: | H01R13/02 | 分类号: | H01R13/02 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 郭春远 |
地址: | 215300 江苏省苏州市昆*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 导电件 卡块 制程 连接器 公端连接器 料带 辅助定位面 平行固定 使用寿命 依次设置 报废率 侧边沿 导电体 导向面 干涉面 结构面 限位面 干涉 拔出 后杆 前杆 凸点 限位 产品结构 配合 | ||
增强Wafer公端连接器高温制程中保持力的导电件,料带(4)前侧边沿平行固定至少三根本体(2),本体(2)中部有卡块(201),卡块(201)前、后端分别连接前杆(202)和后杆(203),其中在卡块(201)外缘由后向前依次设置有干涉面(2011)、限位面(2012)、辅助定位面(2013)、干涉凸点(2014)和导向面(2015)。在导电体中部设置外缘具有一组相互配合的导向、限位、干涉以及定位等多个结构面,防止导电件在高温制程后被向下拔出,有效确保产品结构保持力,端子与料带连接更加紧密牢固,延长连接器的使用寿命,降低连接器的报废率。
技术领域
本实用新型涉及Wafer公端连接器的结构改进技术,尤其是增强Wafer公端连接器高温制程中保持力的导电件。
背景技术
目前此系列产品在高温焊接制程后,导电件保持力会降低50%以上。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供增强Wafer公端连接器高温制程中保持力的导电件。
本实用新型的目的将通过以下技术措施来实现:包括本体、料带、卡块前杆、后杆、干涉面、限位面、辅助定位面、干涉凸点和导向面;料带前侧边沿平行固定至少三根本体,本体中部有卡块,卡块前、后端分别连接前杆和后杆,其中在卡块外缘由后向前依次设置有干涉面、限位面、辅助定位面、干涉凸点和导向面。
尤其是,料带与本体连接部位外壁上有环形向心凹入的的断口。
尤其是,前杆和后杆呈方柱形,本体呈扁板形。
尤其是,卡块对应两外侧边缘对称的分别设置干涉面、限位面、辅助定位面、干涉凸点和导向面。
尤其是,卡块为具有不规则边缘的扁板,从卡块边缘所在位置的宽度对比,干涉面大于干涉凸点大于辅助定位面大于前杆,限位面倾斜连接在干涉面大于干涉凸点之间,导向面倾斜连接在干涉凸点和前杆之间。
尤其是,干涉面表面有棱槽式凸凹结构,干涉面的外缘中线平行于本体中轴。
尤其是,前杆和后杆截面结构横形状相同。
本实用新型的优点和效果:在导电体中部设置外缘具有一组相互配合的导向、限位、干涉以及定位等多个结构面,防止导电件在高温制程后被向下拔出,有效确保产品结构保持力,端子与料带连接更加紧密牢固,延长连接器的使用寿命,降低连接器的报废率,提升生产效率及稳定品质,其安装精确到位,生产效率高且良品率大幅提升。组装简单紧凑,节省材料,经济实用高效。
附图说明
图1为本实用新型实施例1安装结构示意图。
图2为本实用新型实施例1导电体结构示意图。
图3为本实用新型实施例1卡块局部结构示意图。
附图标记包括:
绝缘体1、本体2、断口3、料带4、插槽101、卡块201、前杆202、后杆203、干涉面2011、限位面2012、辅助定位面2013、干涉凸点2014、导向面2015。
具体实施方式
本实用新型原理在于,防止连接器在高温焊接制程后导电件与绝缘体分离,适用于使用在高温制程的Wafer公端连接器。
本实用新型包括:本体2、断口3、料带4、卡块201、前杆202、后杆203、干涉面2011、限位面2012、辅助定位面2013、干涉凸点2014和导向面2015。
下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步说明。
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