[实用新型]一种Micro LED彩色显示阵列结构

权利要求书

1.一种Micro LED彩色显示阵列结构，其特征在于：包括透明衬底、红色亚像素、绿色亚像素、蓝色亚像素、阴极结构、阳极结构和驱动电路基板，所述红色亚像素、所述绿色亚像素、所述蓝色亚像素均带有电极寻址模块，所述电极寻址模块与所述驱动电路板电连接，所述红色亚像素的一端、所述绿色亚像素的一端、所述蓝色亚像素的一端分别与所述阴极结构连接，所述红色亚像素的另一端、所述绿色亚像素的另一端、所述蓝色亚像素的另一端分别与所述阳极结构连接，所述红色亚像素、所述绿色亚像素、所述蓝色亚像素依次呈阵列式排布于所述透明衬底上部，所述驱动电路基板的两端分别与所述阴极结构、所述阳极结构连接。

2.根据权利要求1所述的一种Micro LED彩色显示阵列结构，其特征在于：所述红色亚像素包括第一键合层、第一N型半导体、第一量子阱和第一P型半导体，所述第一键合层、所述第一N型半导体、所述第一量子阱、所述第一P型半导体在所述透明衬底上依次连接，所述红色亚像素的一端设置有第一阳极、另一端设置有第一阴极，所述第一阳极与所述阳极结构连接，所述第一阴极与所述阴极结构连接。

3.根据权利要求2所述的一种Micro LED彩色显示阵列结构，其特征在于：所述红色亚像素的第一阳极电压大小范围为1.5V-2.3V，所述红色亚像素的第一阴极接地。

4.根据权利要求2所述的一种Micro LED彩色显示阵列结构，其特征在于：所述第一量子阱的制成材料采用AlGaInP，其中Al与Ga的，摩尔组分比例小于1.06:1。

5.根据权利要求2所述的一种Micro LED彩色显示阵列结构，其特征在于：所述红色亚像素还包括第一DBR层和第一钝化层，所述第一DBR层和所述第一钝化层依次设置于所述第一P型半导体底部，其中第一DBR层适用的材料采用AlGaA或GaAs，所述第一钝化层的适用的材料为SiO₂。

6.根据权利要求1所述的一种Micro LED彩色显示阵列结构，其特征在于：所述蓝色亚像素、所述绿色亚像素包括第二键合层、第二N型半导体、第二量子阱、第二P型半导体，所述第二N型半导体、所述第二量子阱和所述第二P型半导体在所述透明衬底上依次连接，所述蓝色亚像素的一端、所述绿色亚像素的一端均设置有第二阳极，所述蓝色亚像素的另一端、所述绿色亚像素的另一端设置有第二阴极，所述第二阳极与所述阳极结构连接，所述第二阴极与所述阴极结构连接。

7.根据权利要求6所述的一种Micro LED彩色显示阵列结构，其特征在于：所述第二量子阱的材料采用氮化铟镓，其中，氮化铟镓中的铟原子的摩尔比大于等于0.3。

8.根据权利要求5所述的一种Micro LED彩色显示阵列结构，其特征在于：所述绿色亚像素和所述蓝色亚像素的还包括第二钝化层，所述第二钝化层的材料为SiO2。

9.根据权利要求5所述的一种Micro LED彩色显示阵列结构，其特征在于：所述蓝色亚像素的第二阳极的、所述绿色亚像素的第三阳极的电压大小范围均为3.0V-3.5V，所述蓝色亚像素的第二阴极的、所述绿色亚像素的第三阴极的接地。

10.根据权利要求1所述的一种Micro LED彩色显示阵列结构，其特征在于：所述透明衬底的材质使用蓝宝石材质制成。