[实用新型]一种Micro LED彩色显示阵列结构

说明书

本实用新型涉及LED灯技术领域，尤其是指一种Micro LED彩色显示阵列结构，包括透明衬底、红色亚像素、绿色亚像素、蓝色亚像素、阴极结构、阳极结构和驱动电路基板，所述红色亚像素、所述绿色亚像素、所述蓝色亚像素均带有电极寻址模块，与传统的Micro LED相比，本实用新型在每个亚像素上均设置有电极寻址模块，驱动电路基板可根据指令精准的控制每个亚像素，实现彩色发光，本实用新型的红色亚像素、绿色亚像素、蓝色亚像素依次呈阵列式排布于透明衬底上部，发光效果良好，并且有效的减少了LED灯的体积，还有在生产的过程中，容易运转，有效的减少了不良品的产生。

技术领域

本实用新型涉及LED灯技术领域，尤其是指一种Micro LED彩色显示阵列结构。

背景技术

随着可穿戴设备的快速发展，出现了微发出二极管技术(Micro LED)，微发出二极管技术是将LED微缩化和矩阵化，指的是在一个芯片上集成的高密度微小尺寸的LED阵列，但是目前的Micro LED 一般为单色的，还有部分的彩色Micro LED，但是这些彩色的MicroLED的阵列设置复杂，需要将不同颜色的Micro LED批量、多次的转运至电路基板上，转运的技术难点大，很难实现精准的控制，导致产生的次品较多，无法批量生产。

实用新型内容

本实用新型针对现有技术的问题提供一种方便控制的Micro LED 彩色显示阵列结构。

为了解决上述技术问题，本实用新型采用如下技术方案：本实用新型提供的一种Micro LED彩色显示阵列结构，包括透明衬底、红色亚像素、绿色亚像素、蓝色亚像素、阴极结构、阳极结构和驱动电路基板，所述红色亚像素、所述绿色亚像素、所述蓝色亚像素均带有电极寻址模块，所述电极寻址模块与所述驱动电路板电连接，所述红色亚像素的一端、所述绿色亚像素的一端、所述蓝色亚像素的一端分别与所述阴极结构连接，所述红色亚像素的另一端、所述绿色亚像素的另一端、所述蓝色亚像素的另一端分别与所述阳极结构连接，所述红色亚像素、所述绿色亚像素、所述蓝色亚像素依次呈阵列式排布于所述透明衬底上部，所述驱动电路基板的两端分别与所述阴极结构、所述阳极结构连接。

作为优选，所述红色亚像素包括第一键合层、第一N型半导体、第一量子阱和第一P型半导体，所述第一键合层、所述第一N型半导体、所述第一量子阱、所述第一P型半导体在所述透明衬底上依次连接，所述红色亚像素的一端设置有第一阳极、另一端设置有第一阴极，所述第一阳极与所述阳极结构连接，所述第一阴极与所述阴极结构连接。

作为优选，所述红色亚像素的第一阳极电压大小范围为1.5V-2.3V，所述红色亚像素的第一阴极接地。

作为优选，所述第一量子阱的制成材料采用AlGaInP，其中Al与Ga 的，摩尔组分比例小于1.06:1。

作为优选，所述红色亚像素还包括第一DBR层和第一钝化层，所述第一DBR层和所述第一钝化层依次设置于所述第一P型半导体底部，其中第一DBR层适用的材料采用AlGaA或GaAs，所述第一钝化层的适用的材料为SiO₂。

作为优选，所述蓝色亚像素、所述绿色亚像素包括第二键合层、第二 N型半导体、第二量子阱、第二P型半导体，所述第二N型半导体、所述第二量子阱和所述第二P型半导体在所述透明衬底上依次连接，所述蓝色亚像素的一端、所述绿色亚像素的一端均设置有第二阳极，所述蓝色亚像素的另一端、所述绿色亚像素的另一端设置有第二阴极，所述第二阳极与所述阳极结构连接，所述第二阴极与所述阴极结构连接。

作为优选，所述第二量子阱的材料采用氮化铟镓，其中，氮化铟镓中的铟原子的摩尔比大于等于0.3。

作为优选，所述绿色亚像素和所述蓝色亚像素的还包括第二钝化层，所述第二钝化层的材料为SiO2。