[实用新型]一种增大铝背场面积的BSF晶体硅电池的背电极有效
| 申请号： | 201820038317.8 | 申请日： | 2018-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN207852690U | 公开（公告）日： | 2018-09-11 |
| 发明（设计）人： | 童锐;沈晶;王海超;张满良;吴廷斌 | 申请（专利权）人： | 南通苏民新能源科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 董建林 |
| 地址： | 226300 江苏省南通*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 背电极 铝背场 晶体硅电池 场区 铝背 本实用新型 等间距分布 电流转换 断路电流 矩形方框 中间镂空 制作 | ||
【权利要求书】：
1.一种增大铝背场面积的BSF晶体硅电池的背电极，其特征在于：包括
第一铝背场区；
第二铝背场区，等间距的分布在第一铝背场区中；
和背电极，所述的背电极设置在第二铝背场的四周，所述的第二铝背场位于背电极所形成的中间镂空的矩形方框中。
2.根据权利要求1所述的一种增大铝背场面积的BSF晶体硅电池的背电极，其特征在于：所述的第一铝背场区和第二铝背场区采用铝浆制作，包括嵌入硅片层的BSF层和位于硅片层上方的铝电极层。
3.根据权利要求1或2所述的一种增大铝背场面积的BSF晶体硅电池的背电极，其特征在于：所述的背电极位于第一铝背场和第二铝背场之间的铝电极层的间隙中。
4.根据权利要求3所述的一种增大铝背场面积的BSF晶体硅电池的背电极，其特征在于：所述的背电极的宽度为0.1-0.4mm。
5.根据权利要求3所述的一种增大铝背场面积的BSF晶体硅电池的背电极，其特征在于：所述的背电极的高度大于或等于铝电极层的高度，为5-25um。
6.根据权利要求1所述的一种增大铝背场面积的BSF晶体硅电池的背电极，其特征在于：所述的背电极和第二铝背场所形成的区域的上方设有汇流条，所述的汇流条与背电极向接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
