[实用新型]一种增大铝背场面积的BSF晶体硅电池的背电极

说明书

本实用新型公开了一种增大铝背场面积的BSF晶体硅电池的背电极，包括第一铝背场区，等间距分布在第一铝背场区中的第二铝背场区和背电极，所述的背电极设置在第二铝背场的四周，所述的第二铝背场位于背电极所形成的中间镂空的矩形方框中。本实用新型所制作的BSF晶体硅电池通过增大背电极中的铝背场的面积从而提高断路电流和电流转换效益。

技术领域

本实用新型太阳能电池结构领域，具体涉及一种增大铝背场面积的BSF晶体硅电池的背电极。

背景技术

传统BSF晶硅电池是在电池背面印刷铝浆，烧结时铝渗入原本掺杂硼的P-type硅形成一层数微米厚的P+层作为背场，以降低背表面复合速度来提高电池的开路电压Voc，同时紧密光滑的BSF层可以增加内部反射，提高开路电压和短路电流。

传统的背面金属化方案是先在硅片背面印刷一定面积的矩形银浆，然后在硅片背面避开银背电极印刷整面铝浆，形成铝背场。随着效率要求越来越高，铝背场的边缘距离硅片的边缘越来越近。

当边缘距离越来越小，硅片边缘粘到铝浆的概率会越来越大，电池的漏电流也会越来越大，如何增大铝背场的面积已成为瓶颈。因此本实用新型设计了一种增加铝背场面积的BSF晶体硅电池的电极。

实用新型内容

针对上述问题，本实用新型提出一种增大铝背场面积的BSF晶体硅电池的背电极。

实现上述技术目的，达到上述技术效果，本实用新型通过以下技术方案实现：

一种增大铝背场面积的BSF晶体硅电池的背电极，包括：

第一铝背场区；

第二铝背场区，等间距的分布在第一铝背场区中；

和背电极，所述的背电极设置在第二铝背场的四周，所述的第二铝背场位于背电极所形成的中间镂空的矩形方框中。

作为本实用新型的进一步改进，所述的第一铝背场区和第二铝背场区采用铝浆制作，包括嵌入硅片层的BSF层和位于硅片层上方的铝电极层。

作为本实用新型的进一步改进，所述的背电极位于第一铝背场和第二铝背场之间的铝电极层的间隙中。

作为本实用新型的进一步改进，所述的背电极的宽度为0.1-0.4mm。

作为本实用新型的进一步改进，所述的背电极的高度大于或等于铝电极层的高度，为5-25um。

作为本实用新型的进一步改进，所述的背电极和第二铝背场所形成的区域的上方设有汇流条，所述的汇流条与背电极向接触。

本实用新型的有益效果：本实用新型所制作的BSF晶体硅电池通过增大背电极中的铝背场的面积从而提高断路电流和电流转换效益。

附图说明

图1为本实用新型一种实施例的平面结构示意图；

图2为本实用新型一种实施例的立体结构示意图；

图3为本实用新型的所制备的一种改进电池与常规电池的电流-电压比较图；

其中：1-第一铝背场区，2-第二铝背场区，3-背电极，4-汇流条。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

下面结合附图对本实用新型的应用原理作详细的描述。