[实用新型]一种超低压降的隔离电路有效
| 申请号： | 201820066478.8 | 申请日： | 2018-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN208386164U | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | 田宝军;安飞虎;祁珊珊 | 申请（专利权）人： | 深圳飞安瑞科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H02J7/00 | 分类号： | H02J7/00;H02H7/18 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 唐致明;洪铭福 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市光明新区公明街道玉塘办事处田*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 隔离电路 二极管 电池 电源输出端 输出隔离 超低压 输出端 输入端 外接 正极 本实用新型 输入端连接 导通压降 使用寿命 输出电压 正极连接 负极 | ||
【权利要求书】：
1.一种超低压降的隔离电路，其特征在于，所述隔离电路设置于电池、外接DC电源输入端与电源输出端之间，所述隔离电路包括P沟道MOSFET隔离电路和第一二极管，所述电池的输出端与P沟道MOSFET隔离电路的输入端连接，所述P沟道MOSFET隔离电路的输出端分别与第一二极管的正极、电源输出端连接，所述外接DC电源输入端与第一二极管的正极连接，所述第一二极管的负极与电源输出端连接，所述外接DC电源输入端用于实现外部DC电源的输入，所述外部DC电源的电压大于所述电池的电压。
2.根据权利要求1所述的一种超低压降的隔离电路，其特征在于，所述P沟道MOSFET隔离电路包括P沟道MOSFET管、第一电阻和第二电阻，所述电池的输出端与P沟道MOSFET管的漏极连接，所述P沟道MOSFET管的栅极与第一电阻的一端、第二电阻的一端连接，所述第二电阻的另一端接地，所述第一电阻的另一端与第一二极管的正极连接，所述P沟道MOSFET管的源极与电源输出端连接。
3.根据权利要求1或2所述的一种超低压降的隔离电路，其特征在于，所述电池为可充电电池。
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