[实用新型]一种超低压降的隔离电路有效
申请号: | 201820066478.8 | 申请日: | 2018-01-15 |
公开(公告)号: | CN208386164U | 公开(公告)日: | 2019-01-15 |
发明(设计)人: | 田宝军;安飞虎;祁珊珊 | 申请(专利权)人: | 深圳飞安瑞科技股份有限公司 |
主分类号: | H02J7/00 | 分类号: | H02J7/00;H02H7/18 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 唐致明;洪铭福 |
地址: | 518000 广东省深圳市光明新区公明街道玉塘办事处田*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 隔离电路 二极管 电池 电源输出端 输出隔离 超低压 输出端 输入端 外接 正极 本实用新型 输入端连接 导通压降 使用寿命 输出电压 正极连接 负极 | ||
本实用新型公开了一种超低压降的隔离电路,设置于电池、外接DC电源输入端与电源输出端之间,隔离电路包括MOSFET隔离电路和第一二极管,电池的输出端与MOSFET隔离电路的输入端连接,MOSFET隔离电路的输出端分别与第一二极管的正极、电源输出端连接,外接DC电源输入端与第一二极管的正极连接,第一二极管的负极与电源输出端连接。采用超低导通压降的MOSFET隔离电路作为电池的输出隔离器件,以减少电池在输出隔离器件上的输出电压损耗,从而延长电池的使用寿命。
技术领域
本实用新型涉及电池隔离领域,尤其是一种超低压降的隔离电路。
背景技术
带充电电池的电子产品,通常会在充电电池输出端加一个隔离二极管,以确保在外接DC电源供电期间充电电池不向电路供电。但是由于二极管的压降较大,通常在0.3V(SS14肖特基二极管)~0.7V(普通整流二极管),会导致去掉DC外接电源切换到由充电电池供电模式后,充电电池的有效输出电压下降,进而减少充电电池的使用时间。
实用新型内容
为了解决上述技术问题,本实用新型的目的是提供一种超低压降的隔离电路,采用超低导通压降的MOSFET隔离电路作为电池的输出隔离器件,以减少电池在输出隔离器件上的输出电压损耗,从而延长电池的使用寿命。
本实用新型所采用的技术方案是:一种超低压降的隔离电路,所述隔离电路设置于电池、外接DC电源输入端与电源输出端之间,所述隔离电路包括MOSFET隔离电路和第一二极管,所述电池的输出端与MOSFET隔离电路的输入端连接,所述MOSFET隔离电路的输出端分别与第一二极管的正极、电源输出端连接,所述外接DC电源输入端与第一二极管的正极连接,所述第一二极管的负极与电源输出端连接。
进一步地,所述MOSFET隔离电路包括P沟道MOSFET管、第一电阻和第二电阻,所述电池的输出端与P沟道MOSFET管的漏极连接,所述P沟道MOSFET管的栅极与第一电阻的一端、第二电阻的一端连接,所述第二电阻的另一端接地,所述第一电阻的另一端与第一二极管的正极连接,所述P沟道MOSFET管的源极与电源输出端连接。
进一步地,所述电池为可充电电池。
本实用新型的有益效果是:
本实用新型一种超低压降的隔离电路,设置于电池、外接DC电源输入端与电源输出端之间,隔离电路包括MOSFET隔离电路和第一二极管,电池的输出端与MOSFET隔离电路的输入端连接,MOSFET隔离电路的输出端分别与第一二极管的正极、电源输出端连接,外接DC电源输入端与第一二极管的正极连接,第一二极管的负极与电源输出端连接。采用超低导通压降的MOSFET隔离电路作为电池的输出隔离器件,以减少电池在输出隔离器件上的输出电压损耗,从而延长电池的使用寿命。
附图说明
下面结合附图对本实用新型的具体实施方式作进一步说明:
图1是本实用新型一种超低压降的隔离电路的一具体实施例电路原理图。
具体实施方式
需要说明的是,在不冲突的情况下,本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
一种超低压降的隔离电路,隔离电路设置于电池、外接DC电源输入端与电源输出端之间,外接DC电源输入端作为电源输入接口,用于实现外部DC电源的输入;隔离电路包括MOSFET隔离电路和第一二极管,电池的输出端与MOSFET隔离电路的输入端连接,MOSFET隔离电路的输出端分别与第一二极管的正极、电源输出端连接,外接DC电源输入端与第一二极管的正极连接,第一二极管的负极与电源输出端连接。通过采用超低导通压降的MOSFET隔离电路作为电池的输出隔离器件,以减少电池在输出隔离器件上的输出电压损耗,从而延长电池的使用寿命。
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