[实用新型]一种背接触太阳能电池有效
| 申请号： | 201820123197.1 | 申请日： | 2018-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN207705205U | 公开（公告）日： | 2018-08-07 |
| 发明（设计）人： | 林建伟;何大娟;刘志锋;季根华;刘勇 | 申请（专利权）人： | 泰州中来光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京金之桥知识产权代理有限公司 11137 | 代理人： | 林建军 |
| 地址： | 225500 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 背表面 钝化 背接触太阳能电池 掺杂多晶硅区域 激光开槽 金属电极 欧姆接触 前表面 铝浆 本实用新型 掺杂多晶硅 发射极区域 隧穿氧化层 掺杂区域 传统工艺 电池成本 电极形成 短路电流 交替排列 开路电压 氧化铝膜 一步扩散 工艺流程 场钝化 钝化层 钝化膜 铝电极 银电极 背面 掺杂 并用 电池 复合 节约 | ||
【权利要求书】：
1.一种背接触太阳能电池，其特征在于：包括P型晶体硅基体，所述P型晶体硅基体的背表面从内到外依次包括隧穿氧化层、交替排列的背表面n+掺杂多晶硅区域和背表面激光开槽区域、背表面钝化膜和背表面金属电极；所述背表面金属电极包括与背表面n+掺杂多晶硅区域欧姆接触的第一背面电极和与背表面激光开槽区域欧姆接触的第二背面电极；所述P型晶体硅基体的前表面从内到外依次为p+掺杂区域和前表面钝化减反膜。
2.根据权利要求1所述的一种背接触太阳能电池，其特征在于：所述P型晶体硅基体的前表面是由硼掺杂区域和前表面钝化减反膜形成的前表面场；或，所述P型晶体硅基体的前表面是由氧化层、p+掺杂多晶硅层和前表面钝化减反膜形成的钝化接触前表面场。
3.根据权利要求1或2所述的一种背接触太阳能电池，其特征在于：所述前表面钝化减反膜为SiNx，其厚度为40～80nm；所述氧化层为SiO2和/或Al2O3；或者，所述背表面钝化膜包括Al2O3介质膜和SiNx介质膜，所述Al2O3介质膜的厚度为2～10nm，所述SiNx介质膜的厚度为40～80nm。
4.根据权利要求1或2所述的一种背接触太阳能电池，其特征在于：所述第一背面电极是银电极，所述第二背面电极是铝电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
