[实用新型]一种背接触太阳能电池

说明书

本实用新型涉及一种背接触太阳能电池，包括P型晶体硅基体，背表面从内到外依次包括隧穿氧化层、交替排列的背表面n+掺杂多晶硅区域和激光开槽区域、钝化膜和金属电极；金属电极包括与背表面n+掺杂多晶硅区域欧姆接触的银电极和与背表面激光开槽区域欧姆接触的铝电极；前表面从内到外依次为p+掺杂区域和前表面钝化减反膜。其有益效果是：P型晶体硅基体背表面的发射极区域采用n+掺杂多晶硅钝化层，背表面由铝浆电极形成p+区域并采用氧化铝膜钝化，实现了背表面的钝化接触和场钝化效应，降低了电池背表面的复合速率，提升了开路电压和短路电流；并用铝浆形成背面p+区域，相对传统工艺，减少了一步扩散掺杂步骤，精简了工艺流程，节约了电池成本。

技术领域

本实用新型涉及太阳能电池技术领域，具体涉及一种背接触太阳能电池。

背景技术

太阳能电池是一种将光能转化为电能的半导体器件，较低的生产成本和较高的能量转化效率一直是太阳能电池工业追求的目标。对于目前常规太阳能电池，其p+掺杂区域接触电极和n+掺杂区域接触电极分别位于电池片的正反两面。电池的正面为受光面，正面金属接触电极的覆盖必将导致一部分入射的太阳光被金属电极所遮挡反射，造成一部分光学损失。普通晶硅太阳能电池的正面金属电极的覆盖面积在7％左右，减少金属电极的正面覆盖可以直接提高电池的能量转化效率。

背接触电池，是一种将p+掺杂区域和n+掺杂区域均放置在电池背面(非受光面)的电池，该电池的受光面无任何金属电极遮挡，从而有效增加了电池片的短路电流，使电池片的能量转化效率得到提高。

背接触结构的太阳能电池是目前太阳能工业化批量生产的晶硅太阳能电池中能量转化效率最高的一种电池，它的高转化效率、低组件封装成本，一直深受人们青睐。但是，常见的背接触电池的背表面为N型硅衬底、p+和n+型掺杂层，其上一般采用SiN_x或SiO₂/SiN_x作为钝化层，然后使用烧穿型银浆穿透钝化层与硅形成欧姆接触。其中背面金属电极约占背表面面积的5％-8％，这就意味着超过5％面积的硅表面没有被钝化层覆盖，而且这些区域都存在严重的金属复合。另外，背接触电池制备过程中的多步扩散和银浆印刷，是导致该高效电池成本比较高的一个重要因素。因此，一种既能让金属电极和硅基体形成良好的接触，保持钝化膜的完整性，又能降低背接触电池的制造成本的新型电池，是太阳能电池领域的发展趋势。

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服现有技术的不足，提供一种背接触太阳能电池。

本实用新型的一种背接触太阳能电池，其技术方案为：

一种背接触太阳能电池，其特征在于：包括P型晶体硅基体，所述P型晶体硅基体的背表面从内到外依次包括隧穿氧化层、交替排列的背表面n+掺杂多晶硅区域和背表面激光开槽区域、背表面钝化膜和背表面金属电极；所述背表面金属电极包括与背表面n+掺杂多晶硅区域欧姆接触的第一背面银电极和与背表面激光开槽区域欧姆接触的第二背面电极；所述P型晶体硅基体的前表面从内到外依次为p+掺杂区域和前表面钝化减反膜。

本实用新型提供的一种背接触太阳能电池，还包括如下附属技术方案：

其中，所述P型晶体硅基体的前表面是由硼掺杂区域和前表面钝化减反膜形成的前表面场；或，所述P型晶体硅基体的前表面是由氧化层、p+掺杂多晶硅层和前表面钝化减反膜形成的钝化接触前表面场。

其中，所述前表面钝化减反膜为SiN_x，其厚度为40～80nm；所述氧化层为SiO₂和/或Al₂O₃；或者，所述背表面钝化膜包括Al₂O₃介质膜和SiN_x介质膜，所述Al₂O₃介质膜的厚度为2～10nm，所述SiN_x介质膜的厚度为40～80nm。；。