[实用新型]一种便于扩膜后切割黏性薄膜的辅助装置有效
申请号: | 201820129009.6 | 申请日: | 2018-01-25 |
公开(公告)号: | CN207705179U | 公开(公告)日: | 2018-08-07 |
发明(设计)人: | 张晓光;黄永光;李月 | 申请(专利权)人: | 河南仕佳光子科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687 |
代理公司: | 郑州优盾知识产权代理有限公司 41125 | 代理人: | 张绍琳;谢萍 |
地址: | 458030 河*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 黏性薄膜 子母环 圆筒外壁 晶圆 切割 辅助装置 相等 本实用新型 中心区域 膜过程 向下压 圆筒端 支撑子 重合 拉伸 母环 外壁 | ||
本实用新型公开了一种便于扩膜后切割黏性薄膜的辅助装置,包括一个圆筒、圆筒外壁上的若干个凹槽。其中,圆筒用于支撑子母环,圆筒外径应与子母环外径相等、圆筒内径应与子母环内径相等;在圆筒外壁上的凹槽用于固定切割黏性薄膜的位置。扩膜前,黏性薄膜固定在晶圆环上;通过扩膜过程,黏性薄膜被扩张、其中心区域被固定在子母环上。将连同黏性薄膜、晶圆环的子母环正面向下置于圆筒上;使子母环的外径与圆筒的外径重合;向下压晶圆环,使黏性薄膜一起向下被拉伸并粘在圆筒的外壁上。利用刀沿着圆筒外壁上的凹槽或者沿着子母环与圆筒端面的缝隙将黏性薄膜划断。
技术领域
本发明属于半导体技术领域,特别是一种激光器、探测器、LED等划裂、扩膜后,将多余黏性薄膜从子母环上去除的过程便于扩膜后切割黏性薄膜的辅助装置。
背景技术
在半导体加工领域,晶圆片的分片、晶圆片划裂为巴条、晶圆片划裂为芯片、巴条划裂为芯片等,都需要先将晶圆片或者巴条贴在黏性薄膜上,再利用特定的设备进行划裂。划裂完成后,带有巴条或芯片的黏性薄膜固定在晶圆环上;通过扩膜过程,黏性薄膜被扩张、其中心区域被固定在子母环上。
扩膜完成后,再手动或通过扩膜机上刀片将多余的黏性薄膜去除。黏性薄膜主要通过子环、母环之间的压力被固定到子母环上,长时间放置后黏性薄膜会从子母环中脱落。手动或通过扩膜机上刀片切除多余的黏性薄膜后,黏性薄膜不能完全沿着子母环边缘被切断;且子母环堆在一起放置后,会造成上层子母环和下层子母环粘在一起。
发明内容
本发明要解决的技术问题是现有黏性薄膜切割时不能完全沿着子母环边缘被切断容易粘连,从而提供一种便于扩膜后切割黏性薄膜的辅助装置,本发明可以方便的调节留存黏性薄膜的边缘长度,将留存黏性薄膜的黏性面附着于母环上。从而增加了黏性薄膜与子母环的附着力,同时也避免了出现粘连现象。
为解决上述技术问题,本实用新型所采用的技术方案如下:
一种便于扩膜后切割黏性薄膜的辅助装置,包括支撑圆筒,在支撑圆筒的外圆周面上设置有若干切割导向槽,所述切割导向槽间隔平行设置;且支撑圆筒的外径与子母环的外径相等,支撑圆筒的内径与子母环的内径相等。
所述切割导向槽为方槽、半圆槽和三角槽中的一种。
所述支撑圆筒为铝或不锈钢或者塑料制成的圆筒。
支撑圆筒用于支撑子母环,圆筒外径与子母环外径相等、圆筒内径与子母环内径相等;在圆筒外壁上的凹槽用于固定切割黏性薄膜的位置。扩膜前,黏性薄膜固定在晶圆环上;通过扩膜过程,黏性薄膜被扩张、其中心区域被固定在子母环上。将连同黏性薄膜、晶圆环的子母环正面向下置于支撑圆筒上;使子母环的外径与圆筒的外径重合;向下压晶圆环,使黏性薄膜一起向下被拉伸并粘在支撑圆筒的外壁上。利用刀沿着圆筒外壁上的凹槽或者沿着子母环与支撑圆筒端面的缝隙将黏性薄膜划断。本实用新型可以方便的调节留存黏性薄膜的边缘长度,将留存黏性薄膜的黏性面附着于母环上,从而增加了黏性薄膜与子母环的附着力,同时也避免了出现粘连现象。本发明设计简单、制备成本低、操作方便,并可以根据不同的应用需要调节留存黏性薄膜的边缘长度。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本实用新型的结构示意图。
图2是用于固定黏性薄膜的子母环的示意图。
图3是扩膜后,黏性薄膜、晶圆环与子母环的示意图。
图4是本实用新型使用的原理图。
图5是沿子母环与支撑圆筒端面的缝隙切割后子母环与黏性薄膜的示意图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造