[实用新型]基底表面颗粒检测装置及加工机台

说明书

本实用新型提供一种基底表面颗粒检测装置及加工机台，所述基底表面颗粒检测装置包括承片台、激光发射器和光探测器；本实用新型相当于在原有的加工机台中增加一用于检测基底背面和/或正面上的颗粒污染情况的基底表面颗粒检测装置，能够对承片台所夹持的基底的背面和/或正面上所携带的颗粒进行检测，即能够在基底加工的相应工序中及时发现颗粒污染，以防止颗粒污染加工机台以及避免颗粒引起加工缺陷。

技术领域

本实用新型涉及半导体集成电路制造技术领域，尤其涉及一种基底表面颗粒检测装置及加工机台。

背景技术

半导体晶圆(Wafer)是生产集成电路所用的载体。在半导体集成电路生产制造的工艺流程中，半导体晶圆会经过光刻、刻蚀、沉积和抛光等工序处理，每一道工序对半导体晶圆的正面、背面或者正面和背面来说，都可以产生颗粒(particle)污染，这些颗粒污染，一旦超标，可能会导致缺陷(defocus)的产生和元器件的失效。例如目前的半导体晶圆的光刻工序，首先需要通过12寸半导体涂胶显影机台(track机台)中对半导体晶圆进行光刻胶旋涂(spin coating)、烘烤(bake)、传送(transform)等过程，由于半导体晶圆的背部在这些过程中会不断的与半导体涂胶显影机台中的中间载体(chuck)和对接柱(pin)等一些器件接触、摩擦，由此会产生颗粒粘附在半导体晶圆的背面，不仅会造成所述半导体涂胶显影机台的污染，而且当所述半导体晶圆被传送进扫描曝光机(scanner)进行曝光时,这些颗粒会造成半导体晶圆背部的不平整，导致半导体晶圆正面上的曝光缺陷(defocus)，最终导致制得的元器件的缺陷，甚至失效。

因此，需要一种基底表面颗粒检测装置和加工机台，能够对晶圆表面上所携带的颗粒进行检测，以防止颗粒污染机台并避免颗粒引起的加工缺陷。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种基底表面颗粒检测装置和加工机台，能够对晶圆或显示屏基板等基底的表面上所携带的颗粒进行检测，以防止颗粒污染机台并避免颗粒引起的加工缺陷。

为解决上述问题，本实用新型提出一种基底表面颗粒检测装置，包括用于夹持基底的承片台、用于向所述基底的背面和/或正面发射激光的激光发射器、用于收集所述激光发射器发射的激光在所述基底上散射后的光信号的探测器以及用于驱动所述承片台和/或所述激光发射器运动的驱动装置。

可选的，所述承片台包括环状结构以及与所述环状结构的外边缘连接的竖直侧壁，所述环状结构能够暴露所夹持的基底的背面的部分区域。

可选的，所述环状结构上设有多个用于承接所述基底并将所述基底放置在所述环状结构上的支撑柱，所述支撑柱与所述竖直侧壁平行且在所述环状结构上对称分布，所述支撑柱能相对所述圆环状结构进行上下竖直移动。

可选的，所述驱动装置带动所述承片台和/或所述激光发射器沿方波路线运动。

可选的，所述基底表面颗粒检测装置还包括与所述光探测器电连接的报警器。

可选的，所述基底为晶圆或者用于制作显示屏的基板。

本发明还提供一种加工机台，包括上述的基底表面颗粒检测装置。

可选的，所述加工机台为涂胶显影机台，所述加工机台还包括与所述基底表面颗粒检测装置组装在一起的涂胶装置、显影装置、边缘曝光装置、晶片盒站和机械传送手臂，所述基底表面颗粒检测装置组装在所述边缘曝光装置的一侧。

可选的，所述加工机台还包括设置在所述基底表面颗粒检测装置远离所述边缘曝光装置一侧的扫描曝光装置。

可选的，所述加工机台为图形曝光机台，所述加工机台还包括与所述基底表面颗粒检测装置组装在一起的扫描曝光装置和机械传送手臂。

可选的，所述加工机台为化学机械抛光机台，所述加工机台还包括与所述基底表面颗粒检测装置组装在一起的抛光装置和机械传送手臂。