[实用新型]LED芯片及LED光源模组有效
| 申请号： | 201820141200.2 | 申请日： | 2018-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN207896110U | 公开（公告）日： | 2018-09-21 |
| 发明（设计）人： | 孟芳芳;王思博;简弘安;刘宇轩;陈顺利;丁逸圣 | 申请（专利权）人： | 大连德豪光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 郑小粤;李双皓 |
| 地址： | 116051 辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光区域 衬底 减小 电光转换效率 发光区域表面 本实用新型 面积比 面积和 小电流 焊盘 封装 芯片 保证 | ||
1.一种LED芯片，包括：
衬底；
设置在所述衬底上的LED晶圆，所述LED晶圆具有发光区域，其特征在于，所述发光区域的面积和所述LED芯片的面积比的范围为0.2～0.9。
2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述发光区域的面积和所述LED芯片的面积比的范围为0.2～0.4。
3.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述发光区域的面积和所述LED芯片的面积比为0.3。
4.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述LED晶圆包括依次设置的N型半导体层、发光层以及P型半导体层，所述N型半导体层部分延伸至所述发光层以及所述P型半导体层外围形成N型半导体台面。
5.根据权利要求4所述的LED芯片，其特征在于，所述LED芯片包括：
第一电流阻挡层，形成于所述P型半导体层表面；
导电层，覆盖所述P型半导体层及所述第一电流阻挡层；
P电极，设置在所述导电层上对应所述第一电流阻挡层位置处；以及
设置于所述N型半导体台面上的N电极。
6.根据权利要求5所述的LED芯片，其特征在于，所述LED芯片还包括绝缘反射层，所述绝缘反射层覆盖于所述LED晶圆并从所述LED晶圆侧壁延伸至所述衬底，所述绝缘反射层分别曝露出至少部分所述P电极以及所述N电极。
7.根据权利要求6所述的LED芯片，其特征在于，所述LED芯片还包括分别对应所述P电极以及所述N电极设置的接合层，所述接合层覆盖于部分所述绝缘反射层并分别连接对应的所述P电极以及所述N电极。
8.根据权利要求4所述的LED芯片，其特征在于，所述LED芯片还包括至少一个第二电流阻挡层，所述第二电流阻挡层覆盖部分所述P型半导体层。
9.根据权利要求8所述的LED芯片，其特征在于，所述LED晶圆开设至少一个凹槽，所述凹槽贯穿所述P型半导体层及所述发光层至所述N型半导体层，所述第二电流阻挡层自所述P型半导体层表面延伸至所述凹槽并覆盖所述凹槽内表面。
10.一种LED光源模组，其特征在于，包括如权利要求1-9任一所述的LED芯片。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于大连德豪光电科技有限公司，未经大连德豪光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201820141200.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
