[实用新型]LED芯片及LED光源模组

说明书

本实用新型涉及一种LED芯片，该LED芯片包括衬底和设置在衬底上的LED晶圆，该LED晶圆具有发光区域，通过减小发光区域表面面积使发光区域的面积和LED芯片的面积比的范围为0.2～0.9，可以保证在LED芯片整体尺寸不变的情况下，使LED芯片工作在小电流下工况下，如50‑200μA，达到最佳电光转换效率，而无需在封装时减小焊盘尺寸和芯片之间的间距。

技术领域

本实用新型涉及LED芯片技术领域，特别是涉及一种LED芯片及LED光源模组。

背景技术

随着技术的逐步成熟，LED(Light Emitting Diode，发光二极管)芯片的尺寸越来越小，甚至减小至微型LED芯片，通常传统LED芯片在应用时工作电流较小，约为10～90mA，这样的传统LED芯片在应用在更小的工作电流下，例如50～200μA，芯片尺寸仍然较大，所以在使用时无法达到最佳WEP(电光转换效率，Wall Plug Efficiency)。为了使LED芯片在使用时达到最佳电光转换效率，传统技术通过减小芯片整体尺寸来实现，但是整体减小尺寸后的芯片在封装时对应的焊盘尺寸以及芯片之间的间距相应也需要减小，导致现有焊盘尺寸和芯片之间的间距无法满足封装要求。

实用新型内容

基于此，有必要针对LED芯片在达到最佳电光转换效率时，现有焊盘尺寸和芯片之间的间距无法满足封装要求的问题，提供一种LED芯片及LED光源模组。

根据本实用新型实施例的第一方面，提供一种LED芯片，包括：

衬底；

设置在所述衬底上的LED晶圆，所述LED晶圆具有发光区域，所述发光区域的面积和所述LED芯片的面积比的范围为0.2～0.9。

在其中一个实施例中，所述发光区域的面积和所述LED芯片的面积比的范围为0.2～0.4。

在其中一个实施例中，所述发光区域的面积和所述LED芯片的面积比为0.3。

在其中一个实施例中，所述LED晶圆包括依次设置的N型半导体层、发光层以及P型半导体层，所述N型半导体层部分延伸至所述发光层以及所述P型半导体层外围形成N型半导体台面。

在其中一个实施例中，所述LED芯片包括：

第一电流阻挡层，形成于所述P型半导体层表面；

导电层，覆盖所述P型半导体层及所述第一电流阻挡层；

P电极，设置在所述导电层上对应所述第一电流阻挡层位置处；以及

设置于所述N型半导体台面上的N电极。

在其中一个实施例中，所述LED芯片还包括绝缘反射层，所述绝缘反射层覆盖于所述LED晶圆并从所述LED晶圆侧壁延伸至所述衬底，所述绝缘反射层分别曝露出至少部分所述P电极以及所述N电极。

在其中一个实施例中，所述LED芯片还包括分别对应所述P电极以及所述N电极设置的接合层，所述接合层覆盖于部分所述绝缘反射层并分别连接对应的所述P电极以及所述N电极。

在其中一个实施例中，所述LED芯片还包括至少一个第二电流阻挡层，所述第二电流阻挡层覆盖部分所述P型半导体层。

在其中一个实施例中，所述LED晶圆开设至少一个凹槽，所述凹槽贯穿所述P型半导体层及所述发光层至所述N型半导体层，所述第二电流阻挡层自所述P型半导体层表面延伸至所述凹槽并覆盖所述凹槽内表面。

根据本实用新型实施例的第二方面，提供一种LED光源模组，包括如上述实施例任一所述的LED芯片。