[实用新型]抗蚀剂层的薄膜化装置

说明书

提供一种抗蚀剂层的薄膜化装置，前述抗蚀剂层的薄膜化装置在用于使形成有抗蚀剂层的基板的抗蚀剂层薄膜化而使用的抗蚀剂层的薄膜化装置中，能够解决薄膜化处理液向浸渍槽的上游侧逆流、抗蚀剂层的薄膜化量不均匀的问题。在具备薄膜化处理单元的抗蚀剂层的薄膜化装置中，薄膜化处理单元具有装有薄膜化处理液的浸渍槽，借助对浸渍槽的入口辊对的上侧辊施加载荷的载荷机构，防止薄膜化处理液向上游侧的逆流。

技术领域

本实用新型涉及抗蚀剂层的薄膜化装置。

背景技术

随着电气及电子零件的小型化、轻量化、多功能化，对于以用于形成电路的干膜抗蚀剂、阻焊剂为代表的感光性树脂(感光性材料)，为了与印刷电路板的高密度化对应而要求高分辨率。由这些感光性树脂进行的图像形成通过将感光性树脂曝光后，显影来进行。

为了与印刷电路板的小型化、高功能化对应，感光性树脂有薄膜化的倾向。感光性树脂中有涂敷液体来使用的类型的液态抗蚀剂和膜类型的干膜抗蚀剂。最近，开发出15μm以下的厚度的干膜抗蚀剂，其成品化也正在推进。但是，在这样的薄的干膜抗蚀剂中，存在如下问题：与以往的厚度的抗蚀剂相比，紧贴性及对于凹凸的追随性不足，会发生剥离、空隙等。

为了改善上述方面，提出了使用厚的感光性树脂，同时实现高分辨率的各种方案。例如，公开了一种导电图案的形成方法，其特征在于，在通过减成法制作导电图案的方法中，在绝缘层的单面或双面上设置金属层而成的层叠基板上贴上干膜抗蚀剂来形成抗蚀剂层后，进行抗蚀剂层的薄膜化工序，接着，进行电路图案的曝光工序、显影工序、蚀刻工序(例如，参照专利文献1)。此外，公开了一种阻焊剂图案的形成方法，其特征在于，在形成阻焊剂图案的方法中，在具有导电性图案的电路基板上形成由阻焊剂构成的抗蚀剂层后，进行抗蚀剂层的薄膜化工序，接着进行图案曝光工序，再次进行抗蚀剂层的薄膜化工序(例如，参照专利文献2及3)。

此外，在专利文献4中，公开了被用于抗蚀剂层的薄膜化工序的薄膜化装置。具体地，公开了抗蚀剂层的薄膜化装置，前述抗蚀剂层的薄膜化装置至少包括薄膜化处理单元、胶束除去处理单元、水洗处理单元、干燥处理单元这四个处理单元，前述薄膜化处理单元将形成有抗蚀剂层的基板浸渍(dip)于高浓度的碱性水溶液(薄膜化处理液)，抗蚀剂层的成分的胶束暂时不溶化，由此，胶束难以溶解扩散至处理液中，前述胶束除去处理单元借助胶束除去液喷雾将胶束一举溶解除去，前述水洗处理单元用水洗涤表面，前述干燥处理单元将水洗水除去。

关于专利文献4中公开的薄膜化装置的一部分，使用图5所示的概略剖视图进行说明。在薄膜化处理单元11中，从投入口7投入形成有抗蚀剂层的基板3。基板3穿过浸渍槽2的入口辊对27后，借助搬运辊对4，被以浸渍于浸渍槽2中的薄膜化处理液1的状态搬运。由此，进行抗蚀剂层的薄膜化处理。此后，基板3被向胶束除去处理单元12搬运。在胶束除去处理单元12中，相对于被搬运辊对4搬运来的基板3，穿过胶束除去液供给管20从胶束除去液用喷嘴21供给胶束除去液喷雾22。薄膜化处理单元11内部的浸渍槽2中的薄膜化处理液1是高浓度的碱性水溶液。因此，在薄膜化处理单元11处，由于薄膜化处理液1，基板3上的抗蚀剂层的成分被胶束化。该胶束相对于薄膜化处理液1呈不溶性。此后，在胶束除去处理单元12处，借助胶束除去液喷雾22除去胶束，由此，抗蚀剂层被薄膜化。

此外，在专利文献4中，公开了如下问题：被从薄膜化处理单元11的浸渍槽2带出的薄膜化处理液1被大量带入胶束除去处理单元12中，由此，胶束除去液10的pH过度升高，在胶束除去性能上产生不均，抗蚀剂层的薄膜化处理量不均匀。在专利文献4中，为了解决该问题，如图6所示，也公开了如下抗蚀剂层的薄膜化装置：基板3穿过薄膜化处理单元11内部的浸渍槽2的出口辊对5后，在被搬运至胶束除去处理单元12前之间的部分，设置有作为薄膜化处理液带出抑制机构的除液辊对8。