[实用新型]一种薄膜体声波谐振器有效
| 申请号： | 201820198355.X | 申请日： | 2018-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN207869079U | 公开（公告）日： | 2018-09-14 |
| 发明（设计）人： | 廖珮淳 | 申请（专利权）人： | 武汉衍熙微器件有限公司 |
| 主分类号： | H03H9/02 | 分类号： | H03H9/02;H03H9/05;H03H9/17 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 王丹 |
| 地址： | 430205 湖北省武汉市江夏区经济开发区*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 底电极 压电层 薄膜体声波谐振器 本实用新型 顶电极 横向波 基底 反射界面 反射能量 能量衰减 依次设置 电极 工艺层 下电极 缺块 凸块 | ||
1.一种薄膜体声波谐振器，包括从下到上依次设置的基底、底电极、压电层和顶电极，其中基底与底电极之间设有反射界面，其特征在于：所述的底电极、压电层和顶电极中，至少有一层的形状与其它层不同。
2.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于：所述的形状不同具体为：增加至少一个凸块。
3.根据权利要求2所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于：所述的凸块为与所在层的原结构具有一定距离的独立凸块。
4.根据权利要求3所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于：所述的一定距离为大于0、小于或等于100um。
5.根据权利要求2所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于：所述的凸块为连接在所在层的原结构上的连接凸块。
6.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于：所述的形状不同具体为：在原结构设有至少一个缺块。
7.根据权利要求6所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于：所述的缺块设置在原结构的边缘或中间任意位置。
8.根据权利要求6或7所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于：所述的缺块的高度小于或等于原结构的厚度。
9.根据权利要求8所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于：所述的压电层采用具有压电特性的材料。
10.根据权利要求9所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于：所述的压电层的材料为AlN、AlScN、ZnO、PZT、LiNO3、LiTaO3或BST中的一种。
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