[实用新型]一种除胶反应腔及晶圆清理设备有效
申请号: | 201820234932.6 | 申请日: | 2018-02-09 |
公开(公告)号: | CN207834263U | 公开(公告)日: | 2018-09-07 |
发明(设计)人: | 唐亚敏 | 申请(专利权)人: | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/687 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 俞涤炯 |
地址: | 430205 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶圆 顶针 反应腔 除胶 固定部件 处理工位 压力传感器 顶针基座 顶针装置 晶圆位置 清理设备 半导体制造技术 本实用新型 垂直设置 掉片 刮伤 光阻 破片 侦测 | ||
1.一种除胶反应腔,应用于晶圆清理设备内,适用于清除晶圆上的光阻,其特征在于,包括:
多个晶圆处理工位,用以放置待处理的晶圆;
多个顶针装置,分别对应设置于多个所述晶圆处理工位上,每个所述顶针装置包括一顶针基座和多个顶针,每个所述顶针包括固定部件和垂直设置于所述固定部件上的顶针本体,所述固定部件固定于所述顶针基座内;
于每个所述固定部件背向所述顶针本体的一面上设置一压力传感器。
2.如权利要求1所述的除胶反应腔,其特征在于,所述顶针基座包括:
多个顶针容置孔,多个所述固定部件分别对应设置于多个所述顶针容置孔内;
多个顶针压圈,分别设置于多个所述顶针容置孔上以将对应的所述固定部件固定在所述顶针基座上;
每个所述压力传感器设置于对应的所述顶针压圈和所述固定部件之间。
3.如权利要求2所述的除胶反应腔,其特征在于,所述固定部件为圆柱形,并且所述固定部件的直径大于所述顶针本体的直径;
每个所述顶针容置孔包括同心设置且相互连通的第一容置孔和第二容置孔;
所述固定部件与所述第一容置孔形状适配并设置于所述第一容置孔内;
所述顶针本体与所述第二容置孔形状适配,并且所述顶针本体通过所述第二容置孔伸出所述顶针基座;
所述顶针压圈设置在所述第一容置孔上。
4.如权利要求3所述的除胶反应腔,其特征在于,所述顶针基座背向所述顶针本体的一面上设置有多个凹槽;
多个所述凹槽分别与多个所述第一容置孔连通。
5.如权利要求1所述的除胶反应腔,其特征在于,包括2个所述晶圆处理工位。
6.如权利要求1所述的除胶反应腔,其特征在于,每个所述顶针装置包括3个所述顶针。
7.如权利要求1所述的除胶反应腔,其特征在于,所述压力传感器为按钮型应变式压力传感器。
8.如权利要求1所述的除胶反应腔,其特征在于,所述顶针装置还包括:
升降部件,于所述顶针基座背向所述顶针本体的一面连接所述顶针基座。
9.一种晶圆清理设备,其特征在于,包括如权利要求1-8中任意一项所述的除胶反应腔。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造