[实用新型]一种除胶反应腔及晶圆清理设备

说明书

本实用新型公开了一种除胶反应腔及晶圆清理设备，属于半导体制造技术领域，适用于清除晶圆上的光阻，除胶反应腔包括：多个晶圆处理工位，待处理的晶圆放置在所述晶圆处理工位处；多个顶针装置，分别设置于多个所述晶圆处理工位上，每个所述顶针装置包括一顶针基座和多个顶针，每个所述顶针包括固定部件和垂直设置于所述固定部件上的顶针本体，所述固定部件固定于所述顶针基座内；于每个所述固定部件背向所述顶针本体的一面上设置一压力传感器。上述技术方案的有益效果是：在除胶反应腔中的顶针的底部设置压力传感器，获取计算晶圆位置的数据，使除胶反应腔具备侦测晶圆位置的装置，进而避免晶圆因碰撞而刮伤，掉片，甚至破片。

技术领域

本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种适用于清除晶圆上的光阻的除胶反应腔及晶圆清理设备。

背景技术

刻蚀技术是半导体器件和集成电路的基本制造工艺。在半导体制造过程中，使用刻蚀技术按照掩模图形或设计要求对晶圆表面或表面覆盖薄膜进行选择性腐蚀或剥离，以在晶圆形成电子元件。在刻蚀前，需要使用在晶圆表面不需要刻蚀的部位覆盖一层光刻胶(光阻)作为保护层，在刻蚀结构后，需要对晶圆进行清洗，包括清除晶圆上的光阻。晶圆的除胶过程在晶圆清理设备的除胶反应室内完成。

除胶反应室内具有晶圆处理工位，在晶圆处理工位上设置有多个顶针，用于在晶圆处理前后向上升起，以接收待处理的晶圆，或将处理后的晶圆顶起，以便机械手臂转移晶圆。由于机械手臂抓取或放置晶圆时动作较快，容易导致晶圆产生移动，而现有技术中，除胶反应室不能侦测晶圆的位置，当晶圆产生移动时不能及时的反馈，在晶圆清理设备进行下一步动作时，可能会碰撞晶圆，导致晶圆刮伤，掉片，甚至破片。

发明内容

根据现有技术中存在的上述问题，现提供一种除胶反应腔及晶圆清理设备，通过在顶针的底端设置压力传感器，结合现有的算法获得晶圆在除胶反应腔内的位置，旨在解决现有技术中，除胶反应室不能侦测晶圆的位置，当晶圆产生移动时不能及时的反馈，导致晶圆因碰撞而刮伤，掉片，甚至破片的问题。本实用新型采用如下技术方案：

一种除胶反应腔，应用于晶圆清理设备内，适用于清除晶圆上的光阻，包括：

多个晶圆处理工位，用以放置待处理的晶圆；

多个顶针装置，分别对应设置于多个所述晶圆处理工位上，每个所述顶针装置包括一顶针基座和多个顶针，每个所述顶针包括固定部件和垂直设置于所述固定部件上的顶针本体，所述固定部件固定于所述顶针基座内；

于每个所述固定部件背向所述顶针本体的一面上设置一压力传感器。

较佳的，上述除胶反应腔中，所述顶针基座包括：

多个顶针容置孔，多个所述固定部件分别对应设置于多个所述顶针容置孔内；

多个顶针压圈，分别设置于多个所述顶针容置孔上以将对应的所述固定部件固定在所述顶针基座上；

每个所述压力传感器设置于对应的所述顶针压圈和所述固定部件之间。

较佳的，上述除胶反应腔中，所述固定部件为圆柱形，并且所述固定部件的直径大于所述顶针本体的直径；

每个所述顶针容置孔包括同心设置且相互连通的第一容置孔和第二容置孔；

所述固定部件与所述第一容置孔形状适配并设置于所述第一容置孔内；

所述顶针本体与所述第二容置孔形状适配，并且所述顶针本体通过所述第二容置孔伸出所述顶针基座；

所述顶针压圈设置在所述第一容置孔上。

较佳的，上述除胶反应腔中，所述顶针基座背向所述顶针本体的一面上设置有多个凹槽；

多个所述凹槽分别与多个所述第一容置孔连通。