[实用新型]高效相变储热均温结构有效
申请号: | 201820240997.1 | 申请日: | 2018-02-07 |
公开(公告)号: | CN207868193U | 公开(公告)日: | 2018-09-14 |
发明(设计)人: | 郭健 | 申请(专利权)人: | 成都特维思科技有限公司 |
主分类号: | H01L23/367 | 分类号: | H01L23/367;H01L23/373;H01L23/427;H01L23/473 |
代理公司: | 成都科奥专利事务所(普通合伙) 51101 | 代理人: | 李志清 |
地址: | 610000 四川省成都市*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 碳化硅 多孔基体 储液腔 本实用新型 填充物 相变储热 均温 表面覆盖 出液孔 进液孔 均温性 密封层 散热性 重量轻 填充 体内 补充 | ||
本实用新型公开了一种高效相变储热均温结构,包括碳化硅多孔基体,所述碳化硅多孔基体的孔隙间和孔内均填充有相变填充物,所述碳化硅多孔基体内还设有用于补充相变填充物的储液腔,储液腔一侧上部设有进液孔,储液腔底部设有数个出液孔,所述碳化硅多孔基体的表面覆盖有密封层。本实用新型重量轻,且具有良好的均温性和散热性。
技术领域
本实用新型属于散热技术领域,具体涉及一种高效相变储热均温结构。
背景技术
芯片的集成度越来越高,芯片的体积不断减小,但芯片的功耗在不断增大,造成芯片自身的热流密度较大,受重量条件的限制,结构件导热基板的厚度比较薄,材料也只能选择密度较小的铝合金或铝镁合金,一般不选导热性能好的铜合金,芯片贴合处的结构件表面的温度不能快速导走,从而造成在短时间内芯片内部温度快速上升,造成散热器的均温能力差,散热效果不理想,为了提高散热器的均温能力,一般在散热壳体上增加散热齿,但是这样会增大产品整体体积和重量。
发明内容
本实用新型所要解决的技术问题便是针对上述现有技术的不足,提供一种高效相变储热均温结构,该均温结构体积小、重量轻,且具有良好的均温效果和散热效果。
本实用新型所采用的技术方案是:一种高效相变储热均温结构,包括碳化硅多孔基体,所述碳化硅多孔基体的孔隙间和孔内均填充有相变填充物,所述碳化硅多孔基体内还设有用于补充相变填充物的储液腔,储液腔一侧上部设有进液孔,储液腔底部设有数个出液孔,所述碳化硅多孔基体的表面覆盖有密封层。
作为优选,所述相变填充物为低熔点液态金属、水、丙酮、油、石蜡中的一种。
作为优选,所述密封层为金属焊料涂层、非金属涂层、硅胶层中的一种。
作为优选,所述密封层设置在碳化硅多孔基体的底面及侧面。
作为优选,所述高效相变储热均温结构还包括收集罩、换热器和储液罐,所述收集罩罩在碳化硅多孔基体的顶面,收集罩的出气端通过管路与换热器连接,换热器的出液端通过泵与储液罐连接,储液罐的出液端与储液腔的进液孔连通。
本实用新型的有益效果在于:
(1)采用碳化硅多孔基体,基体本身强度高、刚度大,且基体平面度好、稳定性好、耐高温性好,在高温环境下不易变形、开裂,并具有较强的耐盐雾、湿热、霉菌、温冲等能力;
(2)碳化硅密度小,使得产品整体结构重量轻;
(3)在碳化硅多孔基体的孔中和孔隙间填充相变物质,增大了产品的换热面积,提高了产品整体的换热能力,并具有较高的抗热冲击和储热性能;
(4)相变填充物填充均匀,提高了产品整体的均温能力;
(5)能根据不同的使用环境选择相应的相变填充物,可以产生较大的热熔,增大散热效果。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图;
图2为实施例2的碳化硅多孔基体的结构示意图;
图3为实施例3的碳化硅多孔基体的结构示意图;
图4为实施例4的碳化硅多孔基体的结构示意图。
图中:1、碳化硅多孔基体;2、相变填充物;3、储液腔;4、进液孔;5、出液孔;6、密封层;7、收集罩;8、换热器;9、储液罐;10、泵。
具体实施方式
下面将结合附图及具体实施例对本实用新型作进一步详细说明。
实施例1
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