[实用新型]一种高压变频器功率单元旁路装置有效
| 申请号： | 201820248247.9 | 申请日： | 2018-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN207853784U | 公开（公告）日： | 2018-09-11 |
| 发明（设计）人： | 汤子龙 | 申请（专利权）人： | 北京合康新能科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H02M7/5387 | 分类号： | H02M7/5387;H02M1/32 |
| 代理公司： | 北京国帆知识产权代理事务所(普通合伙) 11334 | 代理人： | 李增朝 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 功率单元 旁路装置 高压变频器 串联 电容器 旁路功能 线路并联 输出端 输入端 绝缘栅双极晶体管 本实用新型 单元结构 功率器件 依次串联 制造成本 逆变 制造 | ||
【权利要求书】：
1.一种高压变频器功率单元旁路装置，其包括三个电容器C1-C3，四个绝缘栅双极晶体管IGBT1-IGBT4，其特征在于：
所述绝缘栅双极晶体管IGBT1与IGBT3串联成的第一线路与所述绝缘栅双极晶体管IGBT2与IGBT4串联成的第二线路并联；
所述高压变频器功率单元旁路装置的输入端/输出端位于所述绝缘栅双极晶体管IGBT1与IGBT2之间，和所述高压变频器功率单元旁路装置的输出端/输入端位于所述绝缘栅双极晶体管IGBT3与IGBT4之间；
所述电容器C1-C3依次串联成线路与所述绝缘栅双极晶体管IGBT1与IGBT2串联成的线路以及所述绝缘栅双极晶体管IGBT3与IGBT4串联成的线路并联。
2.如权利要求1所述一种高压变频器功率单元旁路装置，其特征在于：
所述绝缘栅双极晶体管IGBT1的发射极连接至所述绝缘栅双极晶体管IGBT2的集电极；
所述绝缘栅双极晶体管IGBT3的发射极连接至所述绝缘栅双极晶体管IGBT4的集电极；
所述绝缘栅双极晶体管IGBT1和所述绝缘栅双极晶体管IGBT3的集电极连接至所述电容器C1的正极；
所述绝缘栅双极晶体管IGBT2和所述绝缘栅双极晶体管IGBT4的发射极连接至所述电容器C3的负极。
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