[实用新型]一种高压变频器功率单元旁路装置有效

申请号：	201820248247.9	申请日：	2018-02-12
公开（公告）号：	CN207853784U	公开（公告）日：	2018-09-11
发明（设计）人：	汤子龙	申请（专利权）人：	北京合康新能科技股份有限公司
主分类号：	H02M7/5387	分类号：	H02M7/5387;H02M1/32
代理公司：	北京国帆知识产权代理事务所(普通合伙) 11334	代理人：	李增朝
地址：	100176 北京市大***	国省代码：	北京;11
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：
搜索关键词：	功率单元旁路装置高压变频器串联电容器旁路功能线路并联输出端输入端绝缘栅双极晶体管本实用新型单元结构功率器件依次串联制造成本逆变制造
钻瓜网技术展会专利词库专利权人专利榜在售专利公布日期热门专利

【说明书】：

本实用新型提出了一种高压变频器功率单元旁路装置，其包括三个电容器C1‑C3，四个绝缘栅双极晶体管IGBT1‑IGBT4，其中，IGBT1与IGBT3串联成的第一线路与IGBT2与IGBT4串联成的第二线路并联；所述高压变频器功率单元旁路装置的输入端/输出端位于IGBT1与IGBT2之间，和所述高压变频器功率单元旁路装置的输出端/输入端位于IGBT3与IGBT4之间；所述电容器C1‑C3依次串联成线路与IGBT1与IGBT2串联成的线路以及IGBT3与IGBT4串联成的线路并联。本用新型采用的功率单元旁路装置，由于采用功率单元逆变侧的IGBT模块实现旁路功能，不需要额外增加功率器件，在制造成本上有巨大优势；另外单元结构与不带旁路功能的功率单元可以保持一致，在制造的流程与工艺上也有优势。

技术领域

本实用新型涉及高压变频器技术领域，具体涉及一种高压变频器功率单元旁路装置。

背景技术

高压变频器普遍应用于工业控制领域，单元级联的高压变频器以期输出容量大、输出电压谐波量小、单元设计模块化易于装配与维护等特点受到广大用户的喜爱。

级联式高压变频器的每一相均是由若干的功率单元串联组成，如果其中的某个功率单元有故障，则高压变频器就不能运行，这样就影响用户的正常生产，特别是对于那种要求不能随便停机的用户来说就会造成重大损失；此时，如果高压变频器带有功率单元旁路功能，在某个单元发生故障时，可以通过功率单元旁路功能将有故障的功率单元旁路掉，这样变频器还能够正常运行，可以减少用户的损失。

现今，大多高压变频器功率单元旁路的设计师在功率单元的输出端并联一个共发射极的双管IGBT或者一个接触器，此设计也能完成功率单元旁路功能，但是制造成本太高。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种高压变频器功率单元旁路装置，用于解决功率单元旁路问题，而且不会增加制造成本；

为了实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种功率单元旁路装置，包括三个电容器、即C1-C3，四个IGBT、即IGBT1-IGBT4(其中每个IGBT 包括绝缘栅双极晶体管Q和反并快恢复二极管S)。

其中，所述绝缘栅双极晶体管IGBT1与IGBT3串联成的第一线路与所述绝缘栅双极晶体管IGBT2与IGBT4串联成的第二线路并联；

所述高压变频器功率单元旁路装置的输入端/输出端位于所述绝缘栅双极晶体管IGBT1与IGBT2之间，和所述高压变频器功率单元旁路装置的输出端/ 输入端位于所述绝缘栅双极晶体管IGBT3与IGBT4之间；

所述电容器C1-C3依次串联成线路与所述绝缘栅双极晶体管IGBT1与 IGBT2串联成的线路以及所述绝缘栅双极晶体管IGBT3与IGBT4串联成的线路并联。

其中，所述绝缘栅双极晶体管IGBT1的发射极连接至所述绝缘栅双极晶体管IGBT2的集电极；

所述绝缘栅双极晶体管IGBT3的发射极连接至所述绝缘栅双极晶体管 IGBT4的集电极；

所述绝缘栅双极晶体管IGBT1和所述绝缘栅双极晶体管IGBT3的集电极连接至所述电容器C1的正极；

所述绝缘栅双极晶体管IGBT2和所述绝缘栅双极晶体管IGBT4的发射极连接至所述电容器C3的负极。

相比于现有技术，本实用新型所述的高压检测装置具有以下优势：本实用新型采用的功率单元旁路装置，由于采用功率单元逆变侧的IGBT模块实现旁路功能，不需要额外增加功率器件，在制造成本上有巨大优势；另外单元结构与不带旁路功能的功率单元可以保持一致，在制造的流程与工艺上也有优势。