[实用新型]半导体器件的封装结构有效
| 申请号： | 201820262527.5 | 申请日： | 2018-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN207818576U | 公开（公告）日： | 2018-09-04 |
| 发明（设计）人： | 刘尧;李军;赵静;孙静;梁斌;周琳丰;高迪 | 申请（专利权）人： | 河北中瓷电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/02 | 分类号： | H01L31/02;H01L31/0203;H01L31/024 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 郝伟 |
| 地址： | 050200 河北省石*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 陶瓷件 封装结构 金属热沉 半导体器件 金属板 金属化 通槽 焊接 互联 本实用新型 金属化图形 玻璃封接 封装外壳 高频信号 连接关系 配套电路 散热功能 射频性能 圆形引线 电性能 机加工 散热性 布线 插装 半导体 垂直 传输 制作 | ||
1.半导体器件的封装结构，其特征在于，包括：
金属板，具有彼此相对的第一表面、第二表面和贯穿所述第一、第二表面的通槽；
陶瓷件，用于被封装半导体器件的内、外电连接，所述陶瓷件内部设有互连的金属化图形；
金属热沉，焊接在所述陶瓷件的背面，用于设置半导体器件和配套电路；
所述陶瓷件和金属热沉垂直插装在所述通槽内、并与所述金属板密封连接。
2.如权利要求1所述的半导体器件的封装结构，其特征在于，还包括：
盖帽，连接在所述金属板的第一表面或第二表面上，用于密封所述半导体器件。
3.如权利要求2所述的半导体器件的封装结构，其特征在于，所述盖帽上设置与所述半导体器件的光路对应的透镜。
4.如权利要求1所述的半导体器件的封装结构，其特征在于，所述陶瓷件和金属热沉与所述金属板焊接。
5.如权利要求1所述的半导体器件的封装结构，其特征在于，所述金属板的第一表面、第二表面为圆形，采用10号钢、不锈钢或可伐金属。
6.如权利要求1所述的半导体器件的封装结构，其特征在于，所述陶瓷件为多层氧化铝陶瓷。
7.如权利要求6所述的半导体器件的封装结构，其特征在于，所述陶瓷件的横截面为矩形。
8.如权利要求1所述的半导体器件的封装结构，其特征在于，所述通槽的形状和大小与插装的所述陶瓷件和金属热沉的横截面相适配。
9.如权利要求1所述的半导体器件的封装结构，其特征在于，
在所述金属板上、沿所述通槽外周设置凹台，所述凹台用于限位焊接用焊料；
或在所述陶瓷件和金属热沉与所述通槽对应的周壁上设置凹槽，所述凹槽用于限位焊接用焊料。
10.如权利要求1所述的半导体器件的封装结构，其特征在于，所述金属热沉可采用钨铜、钼铜或铜。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
