[实用新型]半导体器件的封装结构有效

专利信息
申请号: 201820262527.5 申请日: 2018-02-22
公开(公告)号: CN207818576U 公开(公告)日: 2018-09-04
发明(设计)人: 刘尧;李军;赵静;孙静;梁斌;周琳丰;高迪 申请(专利权)人: 河北中瓷电子科技有限公司
主分类号: H01L31/02 分类号: H01L31/02;H01L31/0203;H01L31/024
代理公司: 石家庄国为知识产权事务所 13120 代理人: 郝伟
地址: 050200 河北省石*** 国省代码: 河北;13
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摘要:
搜索关键词: 陶瓷件 封装结构 金属热沉 半导体器件 金属板 金属化 通槽 焊接 互联 本实用新型 金属化图形 玻璃封接 封装外壳 高频信号 连接关系 配套电路 散热功能 射频性能 圆形引线 电性能 机加工 散热性 布线 插装 半导体 垂直 传输 制作
【说明书】:

实用新型公开了一种半导体器件的封装结构,所述封装结构包括开设通槽的金属板、陶瓷件以及焊接在所述陶瓷件背面的金属热沉,所述陶瓷件和金属热沉垂直插装在所述通槽内、并与所述金属板焊接;所述金属热沉用于设置半导体和配套电路。上述技术方案中,陶瓷件取代玻璃封接,陶瓷件内部有金属化互联,可以制作复杂连接关系的金属化图形,电性能互联更具灵活性;封装结构中采用陶瓷件进行金属化布线,相比机加工圆形引线精度更高,对于高频信号的传输,具有更好的射频性能;在封装结构中增加散热性较高的金属热沉,使得封装外壳具备良好的散热功能。

技术领域

本实用新型属于半导体器件封装技术领域,具体涉及一种半导体器件的封装结构。

背景技术

传统的圆形封装外壳为金属-玻璃结构,参见图1a和图1b,其整体为圆形的金属片20及玻璃绝缘子50和金属引线10构成,在圆形的金属片20表面开孔,孔内焊接玻璃绝缘子50,玻璃绝缘子50上焊接金属引线10,通过圆柱形金属引线10实现信号传输。

传统光电类外壳采用多层陶瓷结构,光路传输路径与引线方向水平,并且与封口面水平,参见图2。而图1a中圆形外壳光路传输路径与封口面垂直,封口形式采用高压储能焊方式完成,这样玻璃绝缘子50所承受的强度较低,导致传统圆形外壳无法完成热导率较高金属焊接,因此外壳的散热性较差;进一步地,金属-玻璃结构的引线位置较为单一,且为直通结构,不方便进行芯片与引线的连接,且引线数量不能满足使用要求,无法实现内部芯片电路与外部电流的交叉连接,进而影响了器件和模块在整机上的应用。

实用新型内容

本实用新型实施例的目的在于提供一种半导体器件的封装结构,旨在解决传统圆形封装结构中,封装外壳散热性较差、引线位置单一的缺陷。

为实现上述目的,本实用新型实施例采用的技术方案是:

一种半导体器件的封装结构,包括:

金属板,具有彼此相对的第一表面、第二表面和贯穿所述第一、第二表面的通槽;

陶瓷件,用于被封装半导体器件的内、外电连接,所述陶瓷件内部设有互连的金属化图形;

金属热沉,焊接在所述陶瓷件的背面,用于设置半导体器件和配套电路;

所述陶瓷件和金属热沉垂直插装在所述通槽内、并与所述金属板密封连接。

进一步地,所述半导体器件的封装结构,还包括盖帽,连接在所述金属板的第一表面或第二表面上,用于支撑和密封所述半导体器件。

可选的,在所述金属板上、沿所述通槽外周设置凹台,所述凹台用于限位焊接用焊料;

或在所述陶瓷件和金属热沉与所述通槽对应的周壁上设置凹槽,所述凹槽用于限位焊接用焊料。

本实用新型实施例提供的封装结构具有以下有益效果:

(1)本实用新型采用陶瓷件取代玻璃封接,陶瓷件内部有金属化互联,可以制作复杂连接关系的金属化图形,电性能互联更具灵活性;

(2)封装结构中采用陶瓷件进行金属化布线,相比机加工圆形引线精度更高,对于高频信号的传输,具有更好的射频性能;

(3)在封装结构中增加散热性较高的金属热沉,使得封装外壳具备良好的散热功能;

(4)采用金属板-陶瓷件封装结构,比金属板-玻璃封装结构具有较高强度,极大的提高了外壳可靠性。

附图说明

图1a为现有技术中圆形封装结构示意图;

图1b为图1a的仰视结构示意图;

图2为现有技术中传统光电封装外壳的示意图;

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