[实用新型]一种无源器件堆叠结构有效
| 申请号： | 201820282597.7 | 申请日： | 2018-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN207818570U | 公开（公告）日： | 2018-09-04 |
| 发明（设计）人： | 左成杰;何军 | 申请（专利权）人： | 安徽安努奇科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01F27/28 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 230088 安徽省合肥市高新区创新*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属层 金属柱 堆叠结构 无源器件 源器件 两层 本实用新型 堆叠设置 电连接 基底 多层金属层 空间利用率 高集成化 信号干扰 占用 优化 | ||
1.一种无源器件堆叠结构，其特征在于，包括：
基底；
至少两层金属层，位于所述基底的一侧，所述金属层依次堆叠设置，所述金属层包括第一无源器件；
金属柱层，位于任意相邻两层所述金属层之间，每层所述金属柱层包括至少一个金属柱，不同所述金属层通过至少一个所述金属柱电连接。
2.根据权利要求1所述的无源器件堆叠结构，其特征在于，所述金属柱层的厚度至少是所述金属层的厚度的两倍。
3.根据权利要求1所述的无源器件堆叠结构，其特征在于，同一层所述金属柱层中部分或全部所述金属柱之间电连接，和/或至少一个所述金属柱与所述第一无源器件电连接。
4.根据权利要求3所述的无源器件堆叠结构，其特征在于，相邻两层所述金属柱层中部分所述金属柱之间电连接。
5.根据权利要求1所述的无源器件堆叠结构，其特征在于，每层所述金属层中的所述第一无源器件包括至少一个第一子无源器件；
同一层所述金属层中的部分或全部所述第一子无源器件之间电连接，或同一层所述金属层中的全部所述第一子无源器件之间电绝缘。
6.根据权利要求1所述的无源器件堆叠结构，其特征在于，每层所述金属层中的所述第一无源器件包括至少一个电感和/或至少一个电阻。
7.根据权利要求1所述的无源器件堆叠结构，其特征在于，还包括：
第一绝缘层，位于任意相邻两层所述金属层之间，且填充于所述金属层中所述第一无源器件之间以及每层所述金属柱层中所述金属柱之间。
8.根据权利要求7所述的无源器件堆叠结构，其特征在于，还包括：
第二无源器件以及覆盖或包裹所述第二无源器件的第二绝缘层；
所述第二无源器件以及所述第二绝缘层位于所述基底与最靠近所述基底的所述金属层之间，或所述第二无源器件以及所述第二绝缘层位于任一所述第一绝缘层与上层金属层之间，所述上层金属层为位于该任一所述第一绝缘层远离所述基底一侧的且最靠近该任一所述第一绝缘层的所述金属层。
9.根据权利要求8所述的无源器件堆叠结构，其特征在于，所述第二无源器件包括电容。
10.根据权利要求7所述的无源器件堆叠结构，其特征在于，还包括：
至少一个芯片，位于至少一个所述金属柱层中的所述金属柱之间。
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