[实用新型]一种无源器件堆叠结构

说明书

本实用新型实施例提供了一种无源器件堆叠结构，该无源器件堆叠结构包括：基底；至少两层金属层，位于基底的一侧，金属层依次堆叠设置，金属层包括第一无源器件；金属柱层，位于任意相邻两层金属层之间，每层金属柱层包括至少一个金属柱，不同金属层通过至少一个金属柱电连接。本实用新型的技术方案，通过依次堆叠设置多层金属层，减少了无源器件的占用面积，提高了无源器件堆叠结构的空间利用率，利于无源器件的高集成化。在任意两层金属层之间设置金属柱层，金属柱层中的金属柱可以实现不同金属层之间的电连接，金属柱层的厚度可以根据需要进行设置，从而降低不同金属层之间的信号干扰，优化了无源器件堆叠结构的性能。

技术领域

本实用新型实施例涉及集成器件技术，尤其涉及一种无源器件堆叠结构。

背景技术

随着电子产品的日益发展，各类元器件的研发都朝着高集成化、多功能的方向发展，因此，对集成器件中无源器件的高集成化的要求也在日益提高。

在集成器件中一般采用平铺的方式设置无源器件，而这种设置方式会使集成器件的占用面积较大，不利于无源器件的高集成化。

此外，在现有技术中，一般采用焊球连接各无源器件，但是焊球的寄生电阻会大幅降低电容和电感等无源器件的品质因数，影响无源器件的性能。

实用新型内容

本实用新型提供一种无源器件堆叠结构，以实现减小无源器件的占用面积，优化无源器件堆叠结构的性能的目的。

本实用新型实施例提出了一种无源器件堆叠结构，包括：

基底；

至少两层金属层，位于所述基底的一侧，所述金属层依次堆叠设置，所述金属层包括第一无源器件；

金属柱层，位于任意相邻两层所述金属层之间，每层所述金属柱层包括至少一个金属柱，不同所述金属层通过至少一个所述金属柱电连接。

可选的，所述金属柱层的厚度至少是所述金属层的厚度的两倍。

可选的，同一层所述金属柱层中部分或全部所述金属柱之间电连接，和/或至少一个所述金属柱与所述第一无源器件电连接。

可选的，相邻两层所述金属柱层中部分所述金属柱之间电连接。

可选的，每层所述金属层中的所述第一无源器件包括至少一个第一子无源器件；

同一层所述金属层中的部分或全部所述第一子无源器件之间电连接，或同一层所述金属层中的全部所述第一子无源器件之间电绝缘。

可选的，每层所述金属层中的所述第一无源器件包括至少一个电感和/或至少一个电阻。

可选的，所述的无源器件堆叠结构，还包括：

第一绝缘层，位于任意相邻两层所述金属层之间，且填充于所述金属层中所述第一无源器件之间以及每层所述金属柱层中所述金属柱之间。

可选的，所述的无源器件堆叠结构，还包括：

第二无源器件以及覆盖或包裹所述第二无源器件的第二绝缘层；

所述第二无源器件以及所述第二绝缘层位于所述基底与最靠近所述基底的所述金属层之间，或所述第二无源器件以及所述第二绝缘层位于任一所述第一绝缘层与上层金属层之间，所述上层金属层为位于该任一所述第一绝缘层远离所述基底一侧的且最靠近该任一所述第一绝缘层的所述金属层。

可选的，所述第二无源器件包括电容。

可选的，所述的无源器件堆叠结构，还包括：

至少一个芯片，位于至少一个所述金属柱层中的所述金属柱之间。