[实用新型]电子装置有效
申请号: | 201820290209.X | 申请日: | 2018-03-01 |
公开(公告)号: | CN207896072U | 公开(公告)日: | 2018-09-21 |
发明(设计)人: | 佃龙明 | 申请(专利权)人: | 瑞萨电子株式会社 |
主分类号: | H01L23/12 | 分类号: | H01L23/12;H01L23/522;H01L23/58 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 陈伟;闫剑平 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 导体图案 布线 电子装置 布线层 衬底 电连接 对置 绝缘层 半导体零件 半导体装置 本实用新型 固定电位 面积比 | ||
本实用新型提供一种电子装置,其目的在于提高电子装置的性能。电子装置(EDV1)的布线衬底(10)具备连接有半导体装置(半导体零件)(20)的衬底端子(12A)、形成于第一布线层且与衬底端子(12A)电连接的布线(11A)、形成于第二布线层且经由通路布线(VWA)与布线(11A)电连接的导体图案(MPc)、形成于第三布线层且被供给第一固定电位的导体图案(MPg)。导体图案(MPc)和导体图案(MPg)隔着绝缘层相互对置,导体图案(MPc)和导体图案MPg相互对置的区域的面积比布线(11A)的面积大。
技术领域
本实用新型涉及电子装置(半导体模块),例如,涉及应用于在布线衬底上搭载有半导体零件的电子装置而有效的技术。
背景技术
日本特开2005-183790(专利文献1)、日本特开2005-294528(专利文献2)中记载有,将接地图案和布线图案隔着绝缘层层叠,利用接地图案的布局来降低高频噪声。另外,日本特开2009-21747(专利文献3)中记载有,由与共面线路连接的多个开路短截线、和设置于输入端侧的电容器构成具备阻抗匹配电路的带通滤波器。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2005-183790
专利文献2:日本特开2005-294528
专利文献3:日本特开2009-21747
实用新型内容
半导体装置被用于各种用途,从使半导体装置稳定地动作的观点出发,需要降低对半导体装置的动作带来影响的噪声的技术。作为降低对半导体装置的动作带来影响的噪声的方法,考虑在搭载半导体装置的布线衬底上搭载电容器等噪声对策零件的方法,但已知从高效地降低噪声的观点出发,还有改善的余地。
其它课题和新的特征根据本说明书的记述及附图变明朗。
一实施方式的电子装置的布线衬底具备:连接半导体零件的第一衬底端子、形成于第一布线层且与所述第一衬底端子电连接的第一布线、形成于与所述第一布线层不同的第二布线层且经由第一通路布线与所述第一布线电连接的第一导体图案、形成于与所述第一布线层及所述第二布线层不同的第三布线层且供给第一固定电位的第二导体图案。所述第一导体图案和所述第二导体图案经由绝缘层相互对置,所述第一导体图案和所述第二导体图案相互对置的区域的面积比所述第一布线的面积大。
实用新型效果
根据所述一实施方式,能够提高电子装置的性能。
附图说明
图1是表示一实施方式的电子装置的结构例的放大俯视图。
图2是将图1所示的传感器和放大电路电连接的路径的等效电路图。
图3是沿着图1所示的A-A线的放大剖视图。
图4是提取图1所示的与传感器连接的布线、衬底端子及与该布线连接的导体图案而示出的重合俯视图。
图5是表示相对于图4的变形例的重合俯视图。
图6是相对于图3的变形例的电子装置的放大剖视图。
图7是表示在图6所示的电子装置中相对于图4的变形例的重合俯视图。
图8是表示相对于图4的其它变形例的重合俯视图。
图9是表示相对于图1的变形例的电子装置的结构例的放大俯视图。
图10是将图9所示的放大电路和模拟转换电路电连接的路径的等效电路图。
图11是表示实施了功率类半导体零件的EMI对策的电子装置的结构例的放大俯视图。
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