[实用新型]硅基射频电容有效
| 申请号： | 201820291939.1 | 申请日： | 2018-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN208078026U | 公开（公告）日： | 2018-11-09 |
| 发明（设计）人： | 陈然斌;陈崴;李云峰 | 申请（专利权）人： | 福建省福芯电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02 |
| 代理公司： | 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) 35219 | 代理人： | 林祥翔;徐剑兵 |
| 地址： | 350001 福建省福州市鼓楼区软*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 射频电容 硅基 空腔 硅基衬 衬底结构 硅质薄膜 精度要求 强度不足 键合 内壁 制作 | ||
【权利要求书】：
1.一种硅基射频电容，其特征在于，包括硅基衬底，所述硅基衬底内包括空腔，所述空腔的一侧为硅质薄膜，空腔的内壁没有不同衬底结构间键合的缝隙。
2.根据权利要求1所述的硅基射频电容，其特征在于，所述硅基衬底所述硅质薄膜的外侧设置有绝缘层，绝缘层上依次设置有下电极、介质层和上电极。
3.根据权利要求2所述的硅基射频电容，其特征在于，所述绝缘层为氧化硅、氮化硅或氧化硅氮化硅复合材料。
4.根据权利要求2所述的硅基射频电容，其特征在于，所述下电极或上电极为过渡金属层和导电率高的金属层构成的复合层，过渡金属是钼Mo、钛Ti、钽Ta、Mo-Nd金属，导电率搞的金属是铝Al、金Au、银Ag或铜Cu。
5.根据权利要求2所述的硅基射频电容，其特征在于，所述介质层为二氧化硅、氮化硅、三氧化二铝及氧化锌中的一种材料或多种从材料复合。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于福建省福芯电子科技有限公司，未经福建省福芯电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201820291939.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
