[实用新型]光学指纹识别芯片的封装结构有效
申请号: | 201820312869.3 | 申请日: | 2018-03-07 |
公开(公告)号: | CN208045514U | 公开(公告)日: | 2018-11-02 |
发明(设计)人: | 王之奇;谢国梁 | 申请(专利权)人: | 苏州晶方半导体科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0203 | 分类号: | H01L31/0203;H01L31/0224;H01L31/0232;H01L31/18;G06K9/00 |
代理公司: | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 常伟 |
地址: | 215000 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光学指纹 识别区 透光粘合层 芯片 封装结构 像素点 本实用新型 滤光片 硅片 焊垫 贴覆 通孔 采集指纹信息 多个阵列 电耦合 覆盖 排布 背面 外围 | ||
本实用新型揭示了一种光学指纹识别芯片的封装结构,包括:芯片,所述芯片包括相对的正面以及背面,所述正面具有光学指纹识别区以及位于光学指纹识别区外围的多个焊垫,所述多个焊垫与所述光学指纹识别区电耦合,所述光学指纹识别区由多个阵列排布的像素点组成,所述像素点用于采集指纹信息;第一透光粘合层,覆盖于所述芯片的正面;滤光片,贴覆于所述第一透光粘合层上;第二透光粘合层,覆盖于所述滤光片上;硅片,贴覆于所述第二透光粘合层上,所述硅片上对应光学指纹识别区具有多个通孔,所述多个通孔与所述多个像素点一一对应。本实用新型的封装结构能够实现更薄的厚度。
技术领域
本实用新型涉及半导体技术领域,尤其是一种光学指纹识别芯片的封装结构。
背景技术
随着科学技术的不断进步,越来越多的电子设备广泛的应用于人们的日常生活以及工作当中,为人们的日常生活以及工作带来了巨大的便利,成为当今人们不可或缺的重要工具。而随着电子设备功能的不断增加,电子设备存储的重要信息也越来越多,电子设备的身份验证技术成为目前电子设备研发的一个主要方向。
由于指纹具有唯一性和不变性,使得指纹识别技术具有安全性好、可靠性高以及使用简单等诸多优点。因此,指纹识别技术成为当下各种电子设备进行身份验证的主流技术。
目前,芯片是现有电子设备常用的指纹识别芯片之一,其通过指纹识别区域的大量的感光像素(pixel)来采集使用者的指纹信息,每个感光像素作为一个检测点。具体的,进行指纹识别时,光线照射至使用者的指纹面并经过指纹面反射至感光像素,感光像素将指纹的光信号转换为电信号,根据所有感光像素转换的电信号可以获取指纹信息。
芯片需要通过封装形成相应的封装结构,以便于对芯片进行保护以及以便于与电子设备的电路互联。但是目前的技术并不能满足芯片封装超薄的需要,为此,仍需对现有技术进行改进。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种芯片的封装结构,该芯片的封装结构制造容易,能够实现超薄的厚度。
本实用新型的目的还在于提供一种芯片的封装结构的制作方法,该芯片的封装结构的制作方法制作效率高,而且工艺简单,能够使封装结构更薄。
为实现上述实用新型目的,本实用新型揭示了一种光学指纹识别芯片的封装结构,包括:芯片,所述芯片包括相对的正面以及背面,所述正面具有光学指纹识别区以及位于光学指纹识别区外围的多个焊垫,所述多个焊垫与所述光学指纹识别区电耦合,所述光学指纹识别区具有多个阵列排布的像素点,所述像素点用于采集指纹信息;第一透光粘合层,覆盖于所述芯片的正面;滤光片,贴覆于所述第一透光粘合层上;第二透光粘合层,覆盖于所述滤光片上;硅片,贴覆于所述第二透光粘合层上,所述硅片上对应指纹识别区具有多个通孔,所述多个通孔与所述多个像素点一一对应。
作为本实用新型一实施方式的进一步改进,所述滤光片的形状和位置与所述光学指纹识别区匹配,所述滤光片的周围填充有塑封材料。
作为本实用新型一实施方式的进一步改进,所述硅片的形状和位置与所述光学指纹识别区匹配,所述硅片的周围填充有塑封材料。
作为本实用新型一实施方式的进一步改进,所述硅片对应所述光学指纹识别芯片正面的一面与所述塑封材料的表面齐平。
作为本实用新型一实施方式的进一步改进,所述光学指纹识别芯片的封装结构还包括粘接膜,所述粘接膜贴覆于所述硅片对应所述光学指纹识别芯片正面的一面。
作为本实用新型一实施方式的进一步改进,所述光学指纹识别芯片的封装结构还包括设置于所述背面的再布线层和设置在所述再布线层的电连接端子,所述电连接端子与所述再布线层电连接,且用于与外部电路电连接。
作为本实用新型一实施方式的进一步改进,第一透光粘合层和所述第二透光粘合层是DAF膜、DF膜或者涂布的透光粘合材料。
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的