[实用新型]涌流抑制器和正温度系数热敏电阻有效
| 申请号： | 201820328902.1 | 申请日： | 2018-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN207883417U | 公开（公告）日： | 2018-09-18 |
| 发明（设计）人： | 钟磊;席杰;刘晓宇;边登鹏;张天宇 | 申请（专利权）人： | 浙江大唐国际绍兴江滨热电有限责任公司 |
| 主分类号： | H01C7/02 | 分类号： | H01C7/02;H01C1/024;H01C1/14 |
| 代理公司： | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 | 代理人： | 耿丹丹;李广 |
| 地址： | 312366 浙江省绍兴市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 圆片状 圆柱状 正温度系数热敏电阻 铜箔 涌流抑制器 上封盖 下封盖 热敏电阻 容纳通孔 密封盒 上表面 下表面 外框 本实用新型 降低性能 使用寿命 | ||
1.一种涌流抑制器，其特征在于，包括正温度系数热敏电阻；所述正温度系数热敏电阻包括：
圆柱状ptc芯片；
圆柱状密封盒，所述圆柱状密封盒包括圆柱状外框、圆片状上封盖和圆片状下封盖；所述圆柱状外框内设有ptc芯片容纳通孔；所述ptc芯片容纳通孔放置ptc芯片；所述所述圆片状上封盖封住所述ptc芯片的上表面；所述圆片状下封盖封住所述ptc芯片的下表面；
上圆片状铜箔，所述上圆片状铜箔设置在所述圆片状上封盖上表面；
下圆片状铜箔，所述下圆片状铜箔设置在所述圆片状下封盖下表面；
上引脚，所述上引脚与上圆片状铜箔的上表面固定连接；以及
下引脚，所述下引脚与下圆片状铜箔的下表面固定连接；
其中，所述上圆片状铜箔内设有上第一通孔，所述圆片状上封盖内设有上第二通孔，所述上圆片状铜箔与所述圆柱状ptc芯片的上表面通过第一铜柱电连接，所述第一铜柱填充所述上第一通孔和所述上第二通孔的空间；以及，
其中，所述下圆片状铜箔内设有下第一通孔，所述圆片状下封盖内设有下第二通孔，所述下圆片状铜箔与所述圆柱状ptc芯片的下表面通过第二铜柱电连接，所述第二铜柱填充所述下第一通孔和所述下第二通孔的空间。
2.根据权利要求1所述的涌流抑制器，其特征在于，所述圆柱状ptc芯片是半导体圆柱状ptc芯片、金属圆柱状ptc芯片或者合金圆柱状ptc芯片。
3.一种正温度系数热敏电阻，其特征在于，包括：
圆柱状ptc芯片；
圆柱状密封盒，所述圆柱状密封盒包括圆柱状外框、圆片状上封盖和圆片状下封盖；所述圆柱状外框内设有ptc芯片容纳通孔；所述ptc芯片容纳通孔放置ptc芯片；所述所述圆片状上封盖封住所述ptc芯片的上表面；所述圆片状下封盖封住所述ptc芯片的下表面；
上圆片状铜箔，所述上圆片状铜箔设置在所述圆片状上封盖上表面；
下圆片状铜箔，所述下圆片状铜箔设置在所述圆片状下封盖下表面；
上引脚，所述上引脚与上圆片状铜箔的上表面固定连接；以及
下引脚，所述下引脚与下圆片状铜箔的下表面固定连接；
其中，所述上圆片状铜箔内设有上第一通孔，所述圆片状上封盖内设有上第二通孔，所述上圆片状铜箔与所述圆柱状ptc芯片的上表面通过第一铜柱电连接，所述第一铜柱填充所述上第一通孔和所述上第二通孔的空间；以及，
其中，所述下圆片状铜箔内设有下第一通孔，所述圆片状下封盖内设有下第二通孔，所述下圆片状铜箔与所述圆柱状ptc芯片的下表面通过第二铜柱电连接，所述第二铜柱填充所述下第一通孔和所述下第二通孔的空间。
4.根据权利要求3所述的正温度系数热敏电阻，其特征在于，所述圆柱状ptc芯片是半导体圆柱状ptc芯片、金属圆柱状ptc芯片或者合金圆柱状ptc芯片。
5.根据权利要求3所述的正温度系数热敏电阻，其特征在于，所述上引脚与所述下引脚关于所述圆柱状密封盒镜像对称分布。
6.根据权利要求3所述的正温度系数热敏电阻，其特征在于，所述上引脚与所述下引脚关于所述圆柱状密封盒的中心中心对称分布。
7.根据权利要求3所述的正温度系数热敏电阻，其特征在于，所述上引脚是铜制条状导电片。
8.根据权利要求3所述的正温度系数热敏电阻，其特征在于，所述下引脚是铜制条状导电片。
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