[实用新型]涌流抑制器和正温度系数热敏电阻

说明书

本实用新型涉及一种涌流抑制器，包括热敏电阻；所述热敏电阻包括：圆柱状ptc芯片；圆柱状密封盒，所述圆柱状密封盒包括圆柱状外框、圆片状上封盖和圆片状下封盖；所述圆柱状外框内设有ptc芯片容纳通孔；所述ptc芯片容纳通孔放置ptc芯片；所述圆片状上封盖封住所述ptc芯片的上表面；所述圆片状下封盖封住所述ptc芯片的下表面；上圆片状铜箔，所述上圆片状铜箔设置在所述圆片状上封盖上表面；下圆片状铜箔，所述下圆片状铜箔设置在所述圆片状下封盖下表面。上述正温度系数热敏电阻和采用该正温度系数热敏电阻的涌流抑制器，避免了现有的产品随着时间的变化降低性能，提高了使用寿命。

技术领域

本实用新型涉及涌流抑制器和正温度系数热敏电阻。

背景技术

热敏电阻是敏感元件的一类，按照温度系数不同分为正温度系数热敏电阻(PTC)和负温度系数热敏电阻(NTC)。热敏电阻的典型特点是对温度敏感，不同的温度下表现出不同的电阻值。正温度系数热敏电阻(PTC)在温度越高时电阻值越大，负温度系数热敏电阻(NTC)在温度越高时电阻值越低，它们同属于半导体器件。

涌流抑制器，顾名思义就是抑制励磁涌流的仪器。我们在空投变压器或者电容器组的时候，由于系统电压的相角都是随机的，所以常常会产生很大的励磁涌流，不仅会对运行设备造成危害，而且会导致保护装置误动，严重威胁系统运行的安全、可靠、稳定性。传统的做法是保护装置采用谐波制动、放大动作电流定值等方法躲过励磁涌流，治标不治本。而涌流抑制器是运用精确的相位控制技术，用二次设备控制一次设备，从根本上实现励磁涌流的有效抑制。

目前某些涌流抑制器采用正温度系数热敏电阻，但是目前的正温度系数热敏电阻由于裸露在外面，与空气接触，导致正温度系数热敏电阻的性能会随着时间的变化降低性能，减小使用寿命，从而导致采用正温度系数热敏电阻的涌流抑制器也会随着时间的变化降低性能，减小使用寿命。

实用新型内容

基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种正温度系数热敏电阻和采用该正温度系数热敏电阻的涌流抑制器，避免随着时间的变化降低性能，提高使用寿命。

一种涌流抑制器，包括正温度系数热敏电阻；所述正温度系数热敏电阻包括：

圆柱状ptc芯片；

圆柱状密封盒，所述圆柱状密封盒包括圆柱状外框、圆片状上封盖和圆片状下封盖；所述圆柱状外框内设有ptc芯片容纳通孔；所述ptc芯片容纳通孔放置ptc芯片；所述所述圆片状上封盖封住所述ptc芯片的上表面；所述圆片状下封盖封住所述ptc芯片的下表面；

上圆片状铜箔，所述上圆片状铜箔设置在所述圆片状上封盖上表面；

下圆片状铜箔，所述下圆片状铜箔设置在所述圆片状下封盖下表面；

上引脚，所述上引脚与上圆片状铜箔的上表面固定连接；以及

下引脚，所述下引脚与下圆片状铜箔的下表面固定连接；

其中，所述上圆片状铜箔内设有上第一通孔，所述圆片状上封盖内设有上第二通孔，所述上圆片状铜箔与所述圆柱状ptc芯片的上表面通过第一铜柱电连接，所述第一铜柱填充所述上第一通孔和所述上第二通孔的空间；以及，

其中，所述下圆片状铜箔内设有下第一通孔，所述圆片状下封盖内设有下第二通孔，所述下圆片状铜箔与所述圆柱状ptc芯片的下表面通过第二铜柱电连接，所述第二铜柱填充所述下第一通孔和所述下第二通孔的空间。

在另外的一个实施例中，所述圆柱状ptc芯片是半导体圆柱状ptc芯片、金属圆柱状ptc芯片或者合金圆柱状ptc芯片。

在另外的一个实施例中，所述上引脚与所述下引脚关于所述圆柱状密封盒镜像对称分布。

在另外的一个实施例中，所述上引脚与所述下引脚关于所述圆柱状密封盒的中心中心对称分布。