[实用新型]一种基于三极管的过压保护电路有效
申请号: | 201820331471.4 | 申请日: | 2018-03-12 |
公开(公告)号: | CN208423764U | 公开(公告)日: | 2019-01-22 |
发明(设计)人: | 刘沁峰 | 申请(专利权)人: | 浩海威半导体(深圳)有限公司 |
主分类号: | H02H3/20 | 分类号: | H02H3/20 |
代理公司: | 深圳市添源知识产权代理事务所(普通合伙) 44451 | 代理人: | 黎健任 |
地址: | 518000 广东省深圳市宝安区西*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 分压电阻 本实用新型 稳压二极管 一端连接 三极管 过压保护电路 过压保护 滤波电路 上拉电阻 正极 电压保护电路 电路元器件 负极 支路 成本控制 电容 电阻 引脚 电路 芯片 | ||
1.一种基于三极管的过压保护电路,其特征在于:包括:MicroUSB接口J1、稳压二极管D1、分压电阻R30、分压电阻R31、三极管Q7、上拉电阻R29、滤波电路以及MOS管Q8;
所述MicroUSB接口J1中的第1引脚分别与稳压二极管D1的负极、上拉电阻R29的一端以及滤波电路中的电容C1和电阻R1的一端连接至电压输入端;
所述稳压二极管D1的正极与所述分压电阻R30的一端连接,所述分压电阻R30的另一端连接两个支路,其一支路与所述分压电阻R31的一端连接,所述电阻R31的另一端接地,另一支路与所述三极管Q7的基极连接,所述三极管Q7的集电极与所述上拉电阻R29的另一端连接,所述三极管Q7的发射极接地;
所述MicroUSB接口J1中的第4引脚、第5引脚、第6引脚和第7引脚均接地;
所述MOS管Q8的G极与所述三极管Q7的集电极连接,所述MOS管Q8的D极接地,所述MOS管Q8的S极接地。
2.根据权利要求1所述的基于三极管的过压保护电路,其特征在于:所述滤波电路由电阻R1串联电容C6与电容C1并联,所述电容C1的一端与所述MicroUSB接口J1中的第1引脚,所述电容C1的另一端接地。
3.根据权利要求2所述的基于三极管的过压保护电路,其特征在于:所述滤波电路中电阻R1的阻值为1Ω,电容C6的容值为10μF,电容C1的容值为10μF。
4.根据权利要求1所述的基于三极管的过压保护电路,其特征在于:所述分压电阻R30的阻值为470Ω、所述分压电阻R31的阻值为1.3kΩ,所述上拉电阻R29的阻值为1kΩ。
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