[实用新型]一种基于三极管的过压保护电路有效
申请号: | 201820331471.4 | 申请日: | 2018-03-12 |
公开(公告)号: | CN208423764U | 公开(公告)日: | 2019-01-22 |
发明(设计)人: | 刘沁峰 | 申请(专利权)人: | 浩海威半导体(深圳)有限公司 |
主分类号: | H02H3/20 | 分类号: | H02H3/20 |
代理公司: | 深圳市添源知识产权代理事务所(普通合伙) 44451 | 代理人: | 黎健任 |
地址: | 518000 广东省深圳市宝安区西*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 分压电阻 本实用新型 稳压二极管 一端连接 三极管 过压保护电路 过压保护 滤波电路 上拉电阻 正极 电压保护电路 电路元器件 负极 支路 成本控制 电容 电阻 引脚 电路 芯片 | ||
本实用新型涉及一种基于三极管的过压保护电路,包括:MicroUSB接口J1、稳压二极管D1、分压电阻R30、分压电阻R31、三极管Q7、上拉电阻R29、滤波电路以及MOS管Q8;所述MicroUSB接口J1中的第1引脚(VIN脚)分别与稳压二极管D1的负极、上拉电阻R29的一端以及滤波电路中的电容C1和电阻R1的一端连接,所述稳压二极管D1的正极与所述分压电阻R30的一端连接,所述分压电阻R30的另一端连接两个支路。本实用新型不需要芯片类的电压保护电路就能实现电路的过压保护,满足日益增长的成本控制和过压保护的需求,且本实用新型的电路元器件少,原理简单易控制、简单可靠。
技术领域
本实用新型涉及电源保护技术领域,尤其涉及一种基于三极管的过压保护电路。
背景技术
在消费类电子日益不断发展的背景下,市场对于整个产品的成本和性能都要求越来越高,为了避免因人为误接高电压电源、或者工作电压的不稳定等原因造成的电压过高而可能导致的电路系统误动作或烧毁电源,通常需要设置各种过压保护。目前进行过压保护可采用专用的过压保护IC,但专用过压保护IC成本较高,且器件不易采购。且现有的过压保护方案大多采用后置保护方式,在这种方式下只能设定单一保护电压值,不能满足在各种情况下的使用需求。
实用新型内容
针对现有技术中存在的缺陷或不足,本实用新型提供了一种基于三极管的过压保护电路。
为了实现上述目的,本实用新型采取的技术方案为提供一种基于三极管的过压保护电路,包括:MicroUSB接口J1、稳压二极管D1、分压电阻R30、分压电阻R31、三极管Q7、上拉电阻R29、滤波电路以及MOS管Q8;所述 MicroUSB接口J1中的第1引脚分别与稳压二极管D1的负极、上拉电阻R29 的一端以及滤波电路中的电容C1和电阻R1的一端连接至电压输入端;所述稳压二极管D1的正极与所述分压电阻R30的一端连接,所述分压电阻 R30的另一端连接两个支路,其一支路与所述分压电阻R31的一端连接,所述电阻R31的另一端接地,另一支路与所述三极管Q7的基极连接,所述三极管Q7的集电极与所述上拉电阻R29的另一端连接,所述三极管Q7的发射极接地;所述MicroUSB接口J1中的第4引脚、第5引脚、第6引脚和第7引脚均接地;所述MOS管Q8的G极与所述三极管Q7的集电极连接,所述MOS管Q8的D极接地,所述MOS管Q8的S极接地。
作为本实用新型的进一步改进,所述滤波电路由电阻R1串联电容C6 与电容C1并联,所述电容C1的一端与所述MicroUSB接口J1中的第1引脚,所述电容C1的另一端接地。
作为本实用新型的进一步改进,所述滤波电路中电阻R1的阻值为1Ω,电容C6的容值为10μF,电容C1的容值为10μF。
作为本实用新型的进一步改进,所述分压电阻R30的阻值为470Ω、所述分压电阻R31的阻值为1.3kΩ,所述上拉电阻R29的阻值为1kΩ。
本实用新型的有益效果是:
1、本实用新型通过稳压二极管D1的稳压特性曲线去控制三极管Q7 的基极电压,来控制三极管Q7的导通和截止,然后再去控制MOS管Q8的导通和截止从而来进行过压保护。
2、本实用新型为无需要芯片类的电压保护电路就能实现电路的过压保护,满足日益增长的成本控制和过压保护的需求,且本实用新型的电路元器件少,原理简单易控制、简单可靠。
附图说明
图1是本实用新型的基于三极管的过压保护电路的电路图。
图2是本实用新型的基于三极管的过压保护电路的稳压管二极管D1 的Iz和Vz的稳压曲线图。
图3是本实用新型的基于三极管的过压保护电路的三极管Q7三极管的Ic和VBE的曲线图。
具体实施方式
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