[实用新型]一种准分子激光退火腔室有效
申请号: | 201820335530.5 | 申请日: | 2018-03-12 |
公开(公告)号: | CN207818525U | 公开(公告)日: | 2018-09-04 |
发明(设计)人: | 朱声建 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L21/268 | 分类号: | H01L21/268;H01L21/02;H01L21/84 |
代理公司: | 北京布瑞知识产权代理有限公司 11505 | 代理人: | 孟潭 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 腔室 准分子激光退火 本实用新型 透光区域 注入区域 准分子激光器 惰性气体 分开设置 显示面板 线状激光 不均匀 晶化 发射 | ||
本实用新型提供了一种准分子激光退火腔室,解决了现有技术中惰性气体与准分子激光器所发射的线状激光从同一缝隙中通过而导致的显示面板晶化不均匀的问题。在本实用新型提供的准分子激光退火腔室中,腔室的顶部包括透光区域和气体注入区域,透光区域和气体注入区域分开设置。
技术领域
本实用新型涉及显示技术领域,具体涉及一种准分子激光退火腔室。
背景技术
随着显示技术的不断进步,有源矩阵有机发光二极管(Active-Matrix OrganicLight Emitting Diode,AMOLED)面板也得到了快速发展。基于AMOLED面板,一种称为低温多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon,LTPS)的技术在提高了显示面板亮度的同时,使得AMOLED面板的重量更轻,功耗也更低,已广泛应用于显示行业中。
LTPS的制备可采用准分子激光退火(Excimer Laser Crystallization,ELC)、固相晶化(Solid Phase Crystallization,SPC)、金属诱导晶化(Metal-InducedCrystallization,MILC)等多种制作方法。而准分子激光退火工艺是制备面板中多晶硅薄膜唯一已经实现量产的方法。
准分子激光退火工艺主要采用准分子激光器所发射的线状激光照射玻璃衬底以实现非晶硅向多晶硅的转变。如图1所示,退火腔室2的顶部设置有缝隙21,退火腔室2的底部设置有可运动的工作台22,工作台22上放置有待处理衬底23,待处理衬底23上设置有非晶硅薄膜24。在进行准分子激光退火时,工作台22带动待处理衬底23运动,则激光器1发出的线状激光透过缝隙21照射到待处理衬底23表面完成对非晶硅薄膜24的激光扫描,从而实现非晶硅向多晶硅的转变。但是在这个过程中,硅容易与周围退火环境中的氧发生作用形成硅的氧化物,这会严重影响多晶硅表面的粗糙度,进而影响AMOLED面板的显示特性。现有技术中,为了解决这一问题,在进行激光扫描的同时,通常采用一种可以输出惰性气体的装置也透过该缝隙21向退火腔室2注入惰性气体。这样虽可以排除非晶硅薄膜24上方的氧气,但是惰性气体的注入会对经同一缝隙21透过的激光形成气流扰动,使得激光对非晶硅薄膜24的处理不均匀,进而影响到显示面板表面晶化的均匀度,降低了产品质量。
实用新型内容
有鉴于此,本实用新型实施例致力于提供一种准分子激光退火腔室,以解决现有技术中惰性气体与准分子激光器所发射的线状激光从同一缝隙中通过而导致的显示面板晶化不均匀的问题。
本实用新型一实施例提供了一种准分子激光退火腔室,腔室的顶部包括透光区域和气体注入区域,透光区域和气体注入区域分开设置。
在一个实施例中,透光区域设置于腔室顶部的中心位置,气体注入区域设置于透光区域的外侧。
在一个实施例中,气体注入区域包括设置于透光区域外围的一个环状缝隙。
在一个实施例中,气体注入区域包括设置于透光区域外围的多个环状缝隙,多个环状缝隙以透光区域为中心依次向外排列。
在一个实施例中,环状缝隙是连续的。
在一个实施例中,环状缝隙是非连续的,由多个分段式缝隙单元构成。
在一个实施例中,环状缝隙的形状为矩形环状或椭圆形环状。
在一个实施例中,气体注入区域包括设置于透光区域长度方向两侧的第一注入区域和第二注入区域,第一注入区域和第二注入区域以透光区域为轴对称。
在一个实施例中,第一注入区域和第二注入区域各包括一个或多个方向一致的长条形缝隙,长条形缝隙与透光区域平行或垂直。
在一个实施例中,透光区域为长条形缝隙。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造