[实用新型]半导体装置和电子设备有效
| 申请号： | 201820361998.1 | 申请日： | 2018-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN208045488U | 公开（公告）日： | 2018-11-02 |
| 发明（设计）人： | 青木宏宪 | 申请（专利权）人： | 三垦电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电极 半导体装置 层间绝缘膜 电子设备 绝缘膜 蚀刻 本实用新型 连接不良 贯通孔 内连接 减小 残留 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置，其特征在于，所述半导体装置具有：
基板；
绝缘膜，其设置在所述基板上；
第1电极，其具有以覆盖所述绝缘膜的方式延伸的第1部分以及在所述绝缘膜的两侧处以与所述基板连接的方式分别向远离所述绝缘膜的方向延伸的第2部分；
层间绝缘膜，其设置在所述第1电极的所述第2部分上；以及
第2电极，其在所述层间绝缘膜和所述第1电极的第1部分上延伸，所述第2电极和所述第1电极在所述绝缘膜的上方连接。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置还具有：
开孔，其形成在所述绝缘膜上方并形成在所述层间绝缘膜之间。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述层间绝缘膜的厚度大于所述绝缘膜的厚度。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述绝缘膜的宽度大于所述第1电极的所述第2部分的宽度。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
在所述第1电极的延伸方向上形成有多个所述绝缘膜。
6.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括根据权利要求1-5中任一项所述的半导体装置。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三垦电气株式会社，未经三垦电气株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201820361998.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种集成电路封装结构
- 下一篇：VDMOS功率器件芯片焊接层空洞补偿结构
