[实用新型]半导体装置和电子设备

说明书

本实用新型提供一种半导体装置和电子设备，即使层间绝缘膜的厚度较厚时，由于不需要在绝缘膜的贯通孔内连接第1电极和第2电极，因此不需要增大第1电极的宽度，从而能够减小半导体装置的尺寸，并且，由于第1电极和第2电极的在绝缘膜的上方具有较大的连接面积，从而也不会出现由于层间绝缘膜的蚀刻残留而使得第1电极和第2电极的连接不良的情况。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体装置和包括该半导体装置的电子设备。

背景技术

半导体装置被广泛应用于各种电子设备中。图1是现有的半导体装置的一示意图。如图1所示，在半导体装置10中，在基板11上形成有绝缘膜12，第1电极13通过绝缘膜12的贯通孔14与基板11相连接，在第1电极13上还形成有层间绝缘膜15，并且按照进入贯通孔14内的方式形成第2电极16。由此，在贯通孔14内第1电极13与第2电极16相连接。通常，都是如上这样，利用贯通孔将第1电极和第2电极相连接，例如，专利文献1(日本特开2012-033837号)公开了类似的结构。

应该注意，上面对技术背景的介绍只是为了方便对本实用新型的技术方案进行清楚、完整的说明，并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本实用新型的背景技术部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。

实用新型内容

但是，发明人发现，如图1所示，在基板11与层间绝缘膜15的上表面之间需要确保具有期望的绝缘性，因此会形成较厚的层间绝缘膜15。但是，当利用湿法蚀刻等对层间绝缘膜15进行开孔时，形成的贯通孔14会根据层间绝缘膜15的厚度的增加而变大。进一步的，需要使第1电极13的宽度比贯通孔14宽。其结果是，需要增大第1电极13的宽度，因此存在半导体装置(例如半导体芯片)的尺寸增大的问题。另外，如果层间绝缘膜15较厚，则需要形成较深的贯通孔14，从而容易产生层间绝缘膜15的蚀刻残留17，导致无法良好地将第1电极13和第2电极16相连接。

本实用新型实施例提供一种半导体装置和电子设备，即使层间绝缘膜的厚度较厚时，由于不需要在绝缘膜的贯通孔内连接第1电极和第2电极，因此不需要增大第1电极的宽度，从而能够减小半导体装置的尺寸，并且，由于第1电极和第2电极的在绝缘膜的上方具有较大的连接面积，从而也不会出现由于层间绝缘膜的蚀刻残留而使得第1电极和第2电极的连接不良的情况。

根据本实用新型实施例的第一方面，提供一种半导体装置，所述半导体装置具有：基板；绝缘膜，其设置在所述基板上；第1电极，其具有以覆盖所述绝缘膜的方式延伸的第1部分以及在所述绝缘膜的两侧处以与所述基板连接的方式分别向远离所述绝缘膜的方向延伸的第2部分；层间绝缘膜，其设置在所述第1电极的所述第2部分上；以及第2电极，其在所述层间绝缘膜和所述第1电极的第1部分上延伸，所述第2电极和所述第1电极在所述绝缘膜的上方连接。

根据本实用新型实施例的第二方面，其中，所述半导体装置还具有：开孔，其形成在所述绝缘膜上方并形成在所述层间绝缘膜之间。

根据本实用新型实施例的第三方面，其中，所述层间绝缘膜的厚度大于所述绝缘膜的厚度。

根据本实用新型实施例的第四方面，其中，所述绝缘膜的宽度大于所述第1电极的所述第2部分的宽度。

根据本实用新型实施例的第五方面，其中，在所述第1电极的延伸方向上形成有多个所述绝缘膜。

根据本实用新型实施例的第六方面，提供一种电子设备，该电子设备包括如上述实施例的第一方面至第五方面中任一项所述的半导体装置。

本实用新型的有益效果在于：即使层间绝缘膜的厚度较厚时，由于不需要在绝缘膜的贯通孔内连接第1电极和第2电极，因此不需要增大第1电极的宽度，从而能够减小半导体装置的尺寸，并且，由于第1电极和第2电极的在绝缘膜的上方具有较大的连接面积，从而也不会出现由于层间绝缘膜的蚀刻残留而使得第1电极和第2电极的连接不良的情况。