[实用新型]一种内部去耦的集成电路封装

说明书

本实用新型公开了一种内部去耦的集成电路封装，其结构包括绝缘板、耐高温玻璃、第一基座、信号扩展装置、第二基座、导电基层、绝缘层、传输板、焊点、导线、透镜，所述绝缘板底端外壁固定连接耐高温玻璃上端表面中部，所述耐高温玻璃底端表面边缘与第一基座上端表面边缘紧密贴合，本实用新型一种内部去耦的集成电路封装，设有信号扩展装置，首先通过支撑封盖对设备进行支撑，上下两端分别连接上支板与下支板，上支板与下支板连接的磁性芯片对支撑管内部的传输导线进行供能，使得支撑管内部具有磁性辅助传输，信号强，且速度快。

技术领域

本实用新型是一种内部去耦的集成电路封装，属于集成电路设备领域。

背景技术

集成电路是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构；其中所有元件在结构上已组成一个整体，使电子元件向着微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面迈进了一大步。

现有技术公开了申请号为：CN201420050566.0的一种内部去耦的集成电路封装，其包括基板、芯片和去耦电容，所述芯片设置在基板上，所述去耦电容设置在芯片上，所述芯片与基板电性连接，所述去耦电容与芯片电性连接。本实用新型通过在集成电路封装内部集成去耦电容，有效缩短了芯片的去耦电路路径，降低了回路电感，可为高速芯片提供低阻抗的供电电源并降低芯片的电磁干扰，满足集成电路高密度、高性能、低成本的要求，而且实现工艺难度低，具有良好的经济和社会效益。本实用新型可广泛应用于各种集成电路封装，但是其不足之处在于设备处于全封闭形，导致内部传输器的传输性能，无法提高工作效率。

实用新型内容

针对现有技术存在的不足，本实用新型目的是提供一种内部去耦的集成电路封装，以解决设备处于全封闭形，导致内部传输器的传输性能，无法提高工作效率的问题。

为了实现上述目的，本实用新型是通过如下的技术方案来实现：一种内部去耦的集成电路封装，其结构包括绝缘板1、耐高温玻璃2、第一基座3、信号扩展装置4、第二基座5、导电基层6、绝缘层7、传输板8、焊点9、导线10、透镜11，所述绝缘板1底端外壁固定连接耐高温玻璃2上端表面中部，其特征在于：所述耐高温玻璃2底端表面边缘与第一基座3上端表面边缘紧密贴合，所述第一基座3底端内壁与第二基座5上端外壁采用过盈配合方式活动连接，所述导电基层6底端嵌合第一基座3右侧上端表面，所述导电基层6上端表面贴合绝缘层7底端表面，所述绝缘层7上端设有传输板 8，所述导线10上端表面中部与焊点9底端外壁贯穿连接，所述导线10横贯透镜11内部，所述透镜11底端外壁与第一基座3上端表面中部嵌合；所述信号扩展装置4由上支板401、磁性芯片402、下支板403、支撑管404、支撑封盖405组成，所述上支板401上端外壁与支撑封盖405内壁固定连接，所述下支板403底端表面与支撑封盖405底端上表面固定连接，所述下支板 403与上支板401对称垂直两者相距5-8cm，所述下支板403上端表面设有多个方形卡槽与磁性芯片402底端外壁嵌合，所述磁性芯片402共设有多个，处于同一水平面上，且每者相距1-3cm，并且底端连接处占用下支板403上表面面积的三分之二，所述支撑管404外壁横贯支撑封盖405左右两端中部。

进一步地，所述绝缘板右侧连接透镜左侧表面边缘。

进一步地，所述耐高温玻璃底端表面固定贴合第一基座上端表面。

进一步地，所述基座底端表面内壁与第二基座上端外壁采用过盈配合方式活动连接。

进一步地，所述信号扩展装置底端固定连接第一基座上端表面中部。

进一步地，所述导电基层上端与绝缘层平行垂直。

有益效果