[实用新型]一种喷头装置以及湿法刻蚀设备有效
申请号: | 201820394361.2 | 申请日: | 2018-03-22 |
公开(公告)号: | CN208127155U | 公开(公告)日: | 2018-11-20 |
发明(设计)人: | 钟良兆;宋金林;付刚;臧利亚 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人: | 许志勇 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 喷嘴 喷头装置 贮液腔体 贮存盒 底壁 盒体 湿法刻蚀设备 本实用新型 出液口 刻蚀液 入液管 连通 非均匀分布 厚度均匀性 薄膜产品 非均匀 刻蚀 排布 喷洒 | ||
本实用新型公开了一种喷头装置以及湿法刻蚀设备,包括:贮存盒、入液管以及若干喷嘴,所述贮存盒包括盒体以及所述盒体形成的贮液腔体,所述入液管连通所述贮液腔体,所述盒体包括底壁,所述底壁开设有若干与所述贮液腔体连通的出液口,各喷嘴均安装至一出液口,所述若干喷嘴非均匀地排布于所述底壁。所以本实用新型喷头装置的贮存盒内装有刻蚀液时,刻蚀液通过非均匀分布地喷嘴喷洒,进而提高刻蚀后的薄膜产品厚度均匀性。
技术领域
本实用新型属于半导体设备领域,特别涉及喷头装置以及湿法刻蚀设备。
背景技术
目前,常将喷头装置应用于湿法刻蚀设备中,其通过喷洒刻蚀液,从而湿法刻蚀形成在基板表面的薄膜。
现有喷头装置,喷嘴一般均匀设置,从而使得刻蚀液均匀地分布在基板表面的薄膜上并对其进行刻蚀。但是由于基板表面的薄膜厚度往往分布不均,所以当喷嘴均匀地向其喷洒刻蚀液就容易导致厚度较大处的薄膜刻蚀不足或者厚度较小处的薄膜过刻,造成刻蚀后的薄膜产品厚度仍然不均匀,进而影响到后续产品的性能。
实用新型内容
本实用新型实施例提供一种喷头装置,有效提高刻蚀后的薄膜产品厚度均匀性。
为实现上述目的,本实用新型实施例采用下述技术方案:
一种喷头装置,包括:贮存盒、入液管以及若干喷嘴,所述贮存盒包括盒体以及所述盒体形成的贮液腔体,所述入液管连通所述贮液腔体,所述盒体包括底壁,所述底壁开设有若干与所述贮液腔体连通的出液口,各喷嘴均安装至一出液口,所述若干喷嘴非均匀地排布于所述底壁。
优选地,所述喷头装置还包括塞子,所述出液口数量大于所述喷嘴数量,所述塞子堵塞未安装喷嘴的出液口。
优选地,所述若干出液口均匀分布在整个所述底壁上。
优选地,所述贮存盒形成若干与所述贮液腔连通的入液口,所述入液管安装至所述入液口。
优选地,所述入液管包括主管与连通所述主管的若干支管,所述支管安装至所述入液口。
优选地,所述贮存盒还包括与所述底壁相对设置的顶壁以及连接所述顶壁和底壁的侧壁,所述入液口位于所述顶壁。
优选地,所述喷嘴还具有流量调节元件。
优选地,所述若干出液口口径不一。
优选地,所述若干出液口形状可为圆形、椭圆形、方形或三角形。
一种湿法刻蚀设备,其特征在于,包括刻蚀腔、样品台以及上述喷头装置,所述样品台以及所述喷头装置位于所述刻蚀腔内,且所述喷头装置位于所述样品台上方。
本实用新型实施例采用的上述至少一个技术方案能够达到以下有益效果:
与现有技术相比,本实用新型提供的喷头装置包括贮存盒,所述贮存盒包括盒体以及所述盒体形成的贮液腔体,所述盒体包括底壁,所述底壁开设有若干与所述贮液腔体连通的出液口,各喷嘴均安装至一出液口,若干喷嘴非均匀地排布于所述底壁。所以本实用新型喷头装置的贮存盒内装有刻蚀液时,刻蚀液通过非均匀分布地喷嘴喷洒,进而提高刻蚀后的薄膜产品厚度均匀性。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本实用新型的进一步理解,构成本实用新型的一部分,本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型,并不构成对本实用新型的不当限定。在附图中:
图1为本申请第一实施例中湿法刻蚀设备的示意图;
图2为图1所示喷头装置的另一角度示意图;
图3为本申请第二实施例中喷头装置的示意图。
具体实施方式
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昆山国显光电有限公司,未经昆山国显光电有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201820394361.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种集成电路的输送分料装置
- 下一篇:一种环保型电子元器件封装
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造