[实用新型]阵列基板、显示面板及显示装置有效
申请号: | 201820433213.7 | 申请日: | 2018-03-28 |
公开(公告)号: | CN207909879U | 公开(公告)日: | 2018-09-25 |
发明(设计)人: | 程鸿飞;张玉欣;郝学光;马永达;卢永春;李会 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;刘伟 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电极板 存储电容 阵列基板 本实用新型 显示面板 显示装置 像素单元 三个电极板 距离减小 像素电路 整体电容 电容 电连接 正对 平行 占用 | ||
1.一种阵列基板,包括多个像素单元,其中每一像素单元上分别设置有存储电容,其特征在于,所述存储电容包括至少三个相互平行的电极板,其中所述电极板中的第一电极板与第二电极板之间电连接,第三电极板设置于所述第一电极板与所述第二电极板之间,且所述第一电极板和所述第二电极板分别与所述第三电极板具有相正对的部分。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一电极板和/或所述第二电极板上,与所述第三电极板相正对的部分朝所述第三电极板的方向弯折。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述存储电容还包括第四电极板,与所述第一电极板电连接,且所述第四电极板设置于所述第一电极板与所述第三电极板之间,所述第四电极板与所述第三电极板具有相正对的部分。
4.根据权利要求1至3任一项所述的阵列基板,其特征在于,每一像素单元包括依次设置于基板上的有源层、栅极绝缘层、第一TFT的栅极、层间绝缘层、第一TFT的源/漏极、钝化层和像素电极;其中,所述第一TFT的漏极与所述像素电极通过贯穿所述钝化层的第一过孔电连接;所述有源层与所述第一电极板为一体结构,所述像素电极与所述第二电极板为一体结构。
5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述第三电极板与所述第一TFT的漏极为同层设置。
6.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述第三电极板与所述第一TFT的栅极通过贯穿所述层间绝缘层的第二过孔电连接。
7.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括第二TFT,所述第二TFT的源极与数据线连接,所述第二TFT的栅极与栅线连接,且所述第二TFT的源/漏极与所述第一TFT的源/漏极同层设置,所述第二TFT的栅极与所述第一TFT的栅极同层设置;其中所述第二TFT的漏极与所述第一TFT的栅极通过贯穿所述层间绝缘层的第三过孔电连接。
8.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,当所述存储电容还包括与所述第一电极板电连接的第四电极板,所述第四电极板与所述第三电极板具有相正对的部分时,所述第四电极板与所述第一TFT的栅极同层设置。
9.根据权利要求8所述的阵列基板,其特征在于,所述第四电极板与所述第一电极板通过贯穿所述栅极绝缘层的第四过孔电连接。
10.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述钝化层和所述像素电极之间设置有平坦层,所述平坦层上、与所述第三电极板相正对的部分设置有凹槽,所述第二电极板沉积在所述平坦层上,在所述凹槽处形成弯折;和/或,所述基板上、与所述第三电极板相正对的部分设置有突起,所述第一电极板沉积在所述基板上,在所述突起处形成弯折。
11.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,每一像素单元上还分别设置有有机发光层或者量子点发光层,其中所述像素电极为所述有机发光层或者量子点发光层的阳极。
12.一种显示面板,其特征在于,包括权利要求1至11任一项所述的阵列基板。
13.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求12所述的显示面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的