[实用新型]阵列基板、显示面板及显示装置

说明书

本实用新型提供一种阵列基板、显示面板及显示装置。该阵列基包括多个像素单元，其中每一像素单元上分别设置有存储电容，其中，所述存储电容包括至少三个相互平行的电极板，其中所述电极板中的第一电极板与第二电极板之间电连接，第三电极板设置于所述第一电极板与所述第二电极板之间，且所述第一电极板和所述第二电极板分别与所述第三电极板具有相正对的部分。本实用新型所述阵列基板，像素电路的存储电容包括至少三个电极板，相较于现有技术，在不增加整个存储电容的占用面积的情况下，通过增加电容的电极板，使电极板之间的距离减小，达到增大存储电容的整体电容值的目的。

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域，尤其是指一种阵列基板、显示面板及显示装置。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light Emitting Diodes，OLED)显示器件和量子点电致发光二极管(Quantum dots Light-emitting Diodes，QLED)显示器件均为自发光型显示设备，通常包括分别用作阳极、阴极的像素电极和公共电极以及设在像素电极与公共电极之间的发光层，使得在适当的电压被施加于阳极与阴极时，发光层能够发光。

如图1所示为通常OLED显示器中，像素单元的驱动电路的结构示意图。参阅图1所示，该电路中包括用于实现OLED开关控制的薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)T2、用于实现OLED驱动的薄膜晶体管T1和存储电容C，其中开关TFT T2的栅极连接栅线(Gate)，源极连接数据线(Data)，漏极连接驱动TFT T1的栅极；驱动TFT T1的源极连接电源线(V_dd)，漏极连接像素电极(OLED的阳极)；存储电容C的一个电极C1连接至开关TFT T2的漏极和驱动TFT T1的栅极，另一个电极C2连接至TFT T1的漏极和OLED的阳极。

上述结构的OLED显示器中，存储电容C的电容值越大，OLED显示器的显示画面受驱动TFT T1的漏电流影响越大，越容易获得画面质量稳定的显示画面，因此增大存储电容C的电容值成为提高显示画面稳定性的其中一种方法。

然而，现有技术存储电容C的电容值增大，通常需要加大电容电极的正对面积，但在显示面积有限的条件下，该方式对于电容值的增大效果有限。

实用新型内容

本实用新型技术方案的目的是提供一种阵列基板、显示面板及显示装置，能够在不增加整个电容的设置面积的情况下，达到提高电容值的目的。

本实用新型提供一种阵列基板，包括多个像素单元，其中每一像素单元上分别设置有存储电容，其中，所述存储电容包括至少三个相互平行的电极板，其中所述电极板中的第一电极板与第二电极板之间电连接，第三电极板设置于所述第一电极板与所述第二电极板之间，且所述第一电极板和所述第二电极板分别与所述第三电极板具有相正对的部分。

可选地，所述的阵列基板，其中，所述第一电极板和/或所述第二电极板上，与所述第三电极板相正对的部分朝所述第三电极板的方向弯折。

可选地，所述的阵列基板，其中，所述存储电容还包括第四电极板，与所述第一电极板电连接，且所述第四电极板设置于所述第一电极板与所述第三电极板之间，所述第四电极板与所述第三电极板具有相正对的部分。

可选地，所述的阵列基板，其中，每一像素单元包括依次设置于基板上的有源层、栅极绝缘层、第一TFT的栅极、层间绝缘层、第一TFT的源/漏极、钝化层和像素电极；其中，所述第一TFT的漏极与所述像素电极通过贯穿所述钝化层的第一过孔电连接；所述有源层与所述第一电极板为一体结构，所述像素电极与所述第二电极板为一体结构。

可选地，所述的阵列基板，其中，所述第三电极板与所述第一TFT的漏极为同层设置。

可选地，所述的阵列基板，其中，所述第三电极板与所述第一TFT的栅极通过贯穿所述层间绝缘层的第二过孔电连接。