[实用新型]电容触摸屏用的消影结构和电容触摸屏有效

专利信息
申请号: 201820440624.9 申请日: 2018-03-29
公开(公告)号: CN208110556U 公开(公告)日: 2018-11-16
发明(设计)人: 黄亮;蒋蔚;陈凯;许东东;黄受林;杨谦;黄海东 申请(专利权)人: 深圳力合光电传感股份有限公司
主分类号: G06F3/041 分类号: G06F3/041;G06F3/044
代理公司: 深圳中一专利商标事务所 44237 代理人: 官建红
地址: 518000 广东省深圳市光明新区*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 消影 电容触摸屏 氧化铟锡膜层 二氧化硅膜层 氮化硅膜层 玻璃基板 漂移 氧化铟锡图案 本实用新型 五氧化二铌 产品功能 二氧化硅 混合膜层 介电常数 相邻设置 依次层叠 氮化硅 电极层 方阻 划伤 刻蚀 膜层 调试 保证
【权利要求书】:

1.一种电容触摸屏用的消影结构,包括玻璃基板,其特征在于:所述消影结构还包括依次层叠设置的第一二氧化硅膜层、氧化铟锡膜层、二氧化硅/氮化硅混合膜层、氮化硅膜层和五氧化二铌膜层;所述第一二氧化硅膜层与所述玻璃基板相邻设置,所述氧化铟锡膜层为氧化铟锡图案化电极层。

2.如权利要求1所述的消影结构,其特征在于:所氧化铟锡膜层和所述二氧化硅/氮化硅混合膜层之间设置有第二二氧化硅膜层。

3.如权利要求1所述的消影结构,其特征在于:所述玻璃基板为白玻璃板。

4.如权利要求1所述的消影结构,其特征在于:所述第一二氧化硅膜层的厚度为

5.如权利要求1所述的消影结构,其特征在于:所述氧化铟锡膜层的厚度为

6.如权利要求1所述的消影结构,其特征在于:所述二氧化硅/氮化硅混合膜层的厚度为

7.如权利要求1所述的消影结构,其特征在于:所述氮化硅膜层的厚度为

8.如权利要求1所述的消影结构,其特征在于:所述五氧化二铌膜层的厚度为

9.一种电容触摸屏,其特征在于:所述电容触摸屏设置有权利要求1-8任一项所述的消影结构。

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