[实用新型]电容触摸屏用的消影结构和电容触摸屏有效
申请号: | 201820440624.9 | 申请日: | 2018-03-29 |
公开(公告)号: | CN208110556U | 公开(公告)日: | 2018-11-16 |
发明(设计)人: | 黄亮;蒋蔚;陈凯;许东东;黄受林;杨谦;黄海东 | 申请(专利权)人: | 深圳力合光电传感股份有限公司 |
主分类号: | G06F3/041 | 分类号: | G06F3/041;G06F3/044 |
代理公司: | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人: | 官建红 |
地址: | 518000 广东省深圳市光明新区*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 消影 电容触摸屏 氧化铟锡膜层 二氧化硅膜层 氮化硅膜层 玻璃基板 漂移 氧化铟锡图案 本实用新型 五氧化二铌 产品功能 二氧化硅 混合膜层 介电常数 相邻设置 依次层叠 氮化硅 电极层 方阻 划伤 刻蚀 膜层 调试 保证 | ||
本实用新型提供了一种电容触摸屏用的消影结构和电容触摸屏,该消影结构包括玻璃基板,所述消影结构还包括依次层叠设置的第一二氧化硅膜层、氧化铟锡膜层、二氧化硅/氮化硅混合膜层、氮化硅膜层和五氧化二铌膜层;所述第一二氧化硅膜层与所述玻璃基板相邻设置,所述氧化铟锡膜层为氧化铟锡图案化电极层。该消影结构在保证氧化铟锡膜层的方阻不漂移的情况下,去调试消影效果,这样可以使消影效果更好,而且对刻蚀痕也有一定的消影效果。另外,氮化硅膜层坚硬、介电常数高,可以保护产品免受划伤、防止产品功能受影响。
技术领域
本实用新型属于触摸屏技术领域,更具体地说,是涉及一种电容触摸屏用的消影结构和电容触摸屏。
背景技术
电容触摸屏用氧化铟锡(ITO)玻璃是一种透电导电玻璃,这是由普通白玻加上一层透明导电膜而构成。ITO玻璃是在钠钙基或硅硼基基片玻璃的基础上,利用磁控溅射的方法镀上一层ITO膜加工制作成的。液晶显示器专用ITO导电玻璃,还会在镀ITO层之前,镀上一层二氧化硅阻挡层,以阻止基片玻璃上的钠离子向盒内液晶里扩散。ITO玻璃的性能指标为透过率和电阻,透过率为显示产品最重要的性能参数。
透明导电薄膜ITO传感器(ITO Sensor)为电容式触摸屏的主要部件,目前广泛应用于各类的电容式触摸屏中,该层薄膜传感器位于显示区域。通过刻蚀玻璃基板上的ITO形成ITO电极阵列,再镀金属膜,接着刻蚀金属膜在行电极与列电极交叉处形成金属桥,这便是ITO传感器的一般制作方法。ITO膜的折射率与触摸屏基板的折射率不同,ITO膜折射率一般为1.9-2.0,玻璃基板的折射率约为1.5(人视觉最敏感波段550nm附近),导致显示区内电极(ITO膜)与电极缝隙的反射与透射光谱有较大区别,使电极与缝隙清晰可见,并且颜色不呈中性。另外触摸屏尺寸越大,要求ITO膜层的面电阻越小,则需要增大ITO膜层厚度,ITO膜层厚度的增加会使ITO膜层的可见光透过率下降,这样就导致电极与缝隙的色差越明显,严重影响视觉效果,降低显示器品质。消影增透透明导电薄膜是解决色差问题、提高可见光透过率的主要手段之一。消影膜层材料的选择需综合考虑可见光范围内材料的透过率、消光系数、折射率、稳定性等因素,一般选择五氧化二铌(Nb2O5)和二氧化硅(SiO2)两种材料进行组合使用来实现消影的目的。SiO2是LCD行业里常用光学膜材料,具有优良的光学特性,应用非常广泛。Nb2O5有着较高的折射率,是性能优良的常用高折射率材料之一。在玻璃衬底上先分别镀上厚度为d1、d2的Nb2O5和SiO2膜层,然后再镀一定厚度的ITO膜层。这样可以通过Nb2O5和SiO2膜层的调节作用,使光刻之后的传感器表面ITO区域和非IT0区域反射率非常接近,以减弱视觉反差,达到消影目的。但是随着工艺技术的进步,以及整个行业用工成本的增高,如果继续使用五氧化二铌作为电容触摸屏行业的消影材料,已经不利于相关产业的发展,并且铌作为一种稀有金属,地球上的储量有限,开采的成本相对较高,不利于整个行业的持续发展。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳力合光电传感股份有限公司,未经深圳力合光电传感股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201820440624.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:能降低莫瑞效应的触控面板
- 下一篇:一种防雾触摸屏及使用该屏幕的终端