[实用新型]排气装置有效
| 申请号： | 201820443437.6 | 申请日： | 2018-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN207938583U | 公开（公告）日： | 2018-10-02 |
| 发明（设计）人： | 曹兴龙;阚保国;刘家桦;叶日铨 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;陈丽丽 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 排气装置 排气口 本实用新型 残留气体 抽气组件 反应腔室 中间夹层 排气孔 内层 半导体制造技术 无尘室环境 导体制造 双层罩体 反应腔 外泄 罩体 抽出 容纳 室内 安全 | ||
1.一种排气装置，其特征在于，包括由内层、外层和中间夹层构成的双层罩体以及抽气组件，所述罩体用于容纳反应腔室；所述内层上设置有多个排气孔，所述外层上安装有至少一排气口；所述抽气组件，连接所述排气口，用于使所述反应腔室中的残留气体依次经所述排气孔、所述中间夹层、所述排气口后抽出。
2.根据权利要求1所述的排气装置，其特征在于，多个所述排气孔关于所述罩体的轴向对称分布。
3.根据权利要求2所述的排气装置，其特征在于，多个所述排气孔在所述内层上呈阵列排布。
4.根据权利要求1所述的排气装置，其特征在于，所述排气口的内径大于所述排气孔的内径。
5.根据权利要求4所述的排气装置，其特征在于，至少一排气口包括多个排气口。
6.根据权利要求5所述的排气装置，其特征在于，多个排气口包括两个排气口，且两个所述排气口之间的夹角大于预设角度。
7.根据权利要求6所述的排气装置，其特征在于，所述预设角度为130°。
8.根据权利要求1所述的排气装置，其特征在于，所述抽气组件包括抽气泵和管道；所述管道的一端与所述抽气泵连通、另一端与所述排气口连通，所述抽气泵用于将所述反应腔室内的残留气体依次经所述排气孔、所述中间夹层、所述排气口、所述管道后抽出。
9.根据权利要求8所述的排气装置，其特征在于，还包括控制器；所述控制器，连接所述抽气泵，用于控制所述抽气泵的抽气速率。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
